公开(公告)号：CN1202728A

公开(公告)日：1998-12-23

申请号：CN98102508.0

申请日：1998-06-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 林喜宏 ,  井上尚也 ,  小林壮太

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/0629 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制作半导体器件的方法,能在不损坏电容器的金属氧化物电介质的情况下可靠地连接MOS晶体管。在半导体基片上形成具有源/漏区和栅极的晶体管,在基片上形成一个电容器,该电容器具有电容器上置、下置电极和置于电容器上置与下置电极间的金属氧化物电介质膜。一个绝缘膜形成于电容器上将电容器覆盖,形成一个贯穿该绝缘膜的晶体管接触孔。形成一个电容器接触孔提供与电容器的电连接。本发明还提供了用上述方法制作的器件。