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公开(公告)号：CN116018546A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202080104375.6
申请日：2020-08-03
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/025
Abstract: 一种半导体IQ调制器，相位调制部由基于SS线路结构的差分容量加载型行波电极构造构成，其中，邻接信道间的相位调制部距离400μm以上，容量加载构造的主信号线间距离为60μm以下，在I侧与Q侧的相位调制部之间具有DC相位调整电极和PAD，DC相位调整电极距离相位调整部的信号线至少80μm以上，邻接信道间的串扰特性在所需要的频带内为－30dB以下。
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公开(公告)号：CN107430293B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201680017807.3
申请日：2016-03-23
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种高频特性提高的高频传输线路等。高频传输线路具备：第一导体线路；终端电阻，与第一导体线路连接；第二导体线路，与终端电阻连接；以及接地线路，相对于第一导体线路、终端电阻以及第二导体线路，隔开规定的距离对置配置，并且与第二导体线路连接，第一导体线路以及接地线路分别形成为线路宽度朝向终端电阻侧变窄。
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公开(公告)号：CN107710500A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680036151.X
申请日：2016-06-24
Applicant: 日本电信电话株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备抑制与光波导交叉的高频布线中的阻抗变化、电的过量损失发生的结构的高频线路。高频线路为微带线，其基本结构是在SI-InP基板(301)上依次层叠接地电极(302)、电介质层(304)、信号电极(305)而成。另外，如横向剖视图所示，在横切高频线路(305)的形态下，交叉着InP类半导体的光波导芯(303)。沿着高频线路的传输方向，在包含光波导交叉的固定区域内，使信号电极(305)的宽度局部扩大。在微带线中，信号电极(305)的宽度的局部从w1扩大至w2，相比宽度为均匀的w1，使特性阻抗降低。该宽度w2的第二信号电极部(325)的长度l2被设定为远短于所输入的高频电信号的波长的长度。
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公开(公告)号：CN114631226B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201980101823.4
申请日：2019-10-29
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: H01P1/04 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01R11/01 , H05K1/14
Abstract: 在本发明中，高频线路基板(2‑1)安装于印刷电路板(2‑2)上。印刷电路板(2‑2)设置有第一高频线路。高频线路基板(2‑1)设置有第二高频线路以及连接第一高频线路与第二高频线路的引脚(2‑1‑2a、2‑1‑2b、2‑1‑3a、2‑1‑3b)。在高频线路基板(2‑1)的信号引脚(2‑1‑3a、2‑1‑3b)与第二高频线路之间的邻接区段中，以及在高频线路基板(2‑1)的接地引脚(2‑1‑2a、2‑1‑2b)与第二高频线路之间的邻接区段中，接地引脚(2‑1‑2a、2‑1‑2b)的离印刷电路板(2‑2)的上表面的高度大于信号引脚(2‑1‑3a、2‑1‑3b)的高度。
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公开(公告)号：CN116615679A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202180080803.0
申请日：2021-11-29
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 日本电信电话株式会社
IPC: G02B5/30
Abstract: 目的在于，提供一种光模块，能抑制组装难易度变高，且能抑制与光的偏振状态相应的性能的降低。光模块具备：偏振控制器，其具有主体部、第1偏光器、第1输入部、第2输入部、第3输入部、第1输出部和第2输出部，其中，该主体部具有偏振分波/合波部，当该偏振分波/合波部被输入具有相互正交的偏振状态的2个光时，将该2个光偏振合成并输出，当被输入光时，偏振分波成具有相互正交的偏振状态的2个光并输出；和光元件，其经由偏振控制器被输入光，经由偏振控制器输出光，光元件将第1光和第2光输出到偏振控制器，偏振控制器将从第1输入部输入的第1光和从第2输入部输入的第2光在偏振分波/合波部偏振合成，并作为第3光从第1输出部输出，偏振控制器使从第3输入部输入的第4光通过第1偏光器并从第2输出部输出到光元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110446969A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201880019312.3
申请日：2018-03-20
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/01 , H04B10/516
Abstract: 本发明提供一种能高速、宽波段工作的偏振复用型IQ光调制器。该IQ光调制器的特征在于，具备：作为母件的马赫-曾德尔型MZM光波导；作为子件的MZM光波导，分别设于构成所述母MZM光波导的两个臂；两个电极线路，沿构成所述子MZM光波导的两个臂分别设置，通过被施加调制信号而对在MZM中传输的光信号进行相位调制；RF引出线路，分别连接于所述两个电极线路，用于输入对所述两个电极线路施加的所述调制信号；第一光分波器，将光分波至所述母MZM光波导的两个臂；第二光分波器，将光分波至所述子MZM光波导的两个臂；以及第一光合波器，对来自所述子MZM光波导的两个臂的光进行合波，所述RF引出线路的条方向、所述第二光分波器的条方向以及所述第一光合波器的条方向与设有所述两个电极线路的所述子MZM光波导的条方向相同，并且，所述第一光分波器的条方向与设有所述两个电极线路的所述子MZM光波导的条方向为正交关系。
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公开(公告)号：CN107615140A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680031603.5
申请日：2016-06-01
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02F1/2257 , G02F1/025 , G02F1/225 , G02F2001/212 , G02F2202/102 , G02F2202/107
Abstract: 本发明提供一种能作为超高速且电稳定性优异的调制器来使用的马赫-策德尔型(MZ)半导体光调制元件。本发明的半导体光调制元件是通过对在光波导进行导波的光的折射率进行调制的折射率调制区域以及进行在该折射率调制区域分支的光的合分波的输入输出区域来进行光的调制的马赫-策德尔型半导体光调制元件，其特征在于，所述光波导在折射率调制区域中，在与闪锌矿型半绝缘性的半导体晶体基板的(100)面等效的基板面上，从上层层叠有n型包层、i芯层以及p型包层，所述n型包层在倒置台面方向形成为脊状，在该n型包层上设有电容加载电极。
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公开(公告)号：CN114365033B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN201980100217.0
申请日：2019-09-13
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/01
Abstract: 一种具有嵌套构造的MZ光波导的IQ光调制器，所述嵌套构造的MZ光波导具有I/Q两个信道光调制区域，其中，IQ光调制器的输入光波导的端部和输出光波导的端部位于所述IQ光调制器的芯片的同一端面，所述IQ光调制器具备嵌套构造的MZ光波导的第一光合波器与第二光合波器之间的光波导和输入光波导交叉的光交叉波导，第一光分波器设于所述I信道光调制区域与所述Q信道光调制区域之间，所述第一光分波器内的光传输方向与所述光调制区域内的光传输方向为相反方向。
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公开(公告)号：CN116097157A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202080104490.3
申请日：2020-07-29
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/015
Abstract: 一种半导体光调制器，其特征在于，高频线路，与波导并行布置并且由用于传输高频调制信号的差分线路构成；连接用焊盘，与所述高频线路连续并且沿相同方向形成；以及终端电阻，由用于将来自所述连接用焊盘的所述高频调制信号差分终止的两个长方形的电阻体构成，这三个部分直线状地布置，并在片上终止，在经过所述终端电阻紧后形成差分对的所述高频线路短路。
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公开(公告)号：CN110446969B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201880019312.3
申请日：2018-03-20
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02F1/01 , H04B10/516
Abstract: 本发明提供一种能高速、宽波段工作的偏振复用型IQ光调制器。该IQ光调制器的特征在于，具备：作为母件的马赫‑曾德尔型MZM光波导；作为子件的MZM光波导，分别设于构成所述母MZM光波导的两个臂；两个电极线路，沿构成所述子MZM光波导的两个臂分别设置，通过被施加调制信号而对在MZM中传输的光信号进行相位调制；RF引出线路，分别连接于所述两个电极线路，用于输入对所述两个电极线路施加的所述调制信号；第一光分波器，将光分波至所述母MZM光波导的两个臂；第二光分波器，将光分波至所述子MZM光波导的两个臂；以及第一光合波器，对来自所述子MZM光波导的两个臂的光进行合波，所述RF引出线路的条方向、所述第二光分波器的条方向以及所述第一光合波器的条方向与设有所述两个电极线路的所述子MZM光波导的条方向相同，并且，所述第一光分波器的条方向与设有所述两个电极线路的所述子MZM光波导的条方向为正交关系。
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