公开(公告)号：CN1576344A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410071314.7

申请日：2004-07-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大野博文 ,  山根实 ,  伊奈康信 ,  梅野正一

IPC: C09K3/10 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29

CPC classification number: B29C45/462 ,  B29B9/04 ,  B29B9/08 ,  B29B9/10 ,  B29B9/12 ,  B29K2063/00 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种通过提高片的密度可减少封装内部发生空隙的半导体密封用片的制造方法。该半导体密封用片的制造方法是：制作以下述的(A)～(C)成分为必要成分的环氧树脂组合物的混炼物以后；将所述混炼物成型为薄片密度比为98％或98％以上的薄片状；粉碎所述薄片状成型体以后，把该粉碎物打片成型为片密度比为94％或94％以上且不足98％的片状。其中(A)环氧树脂；(B)酚醛树脂；(C)无机物填充剂。

公开(公告)号：CN100339457C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410071314.7

申请日：2004-07-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大野博文 ,  山根实 ,  伊奈康信 ,  梅野正一

IPC: C09K3/10 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29

CPC classification number: B29C45/462 ,  B29B9/04 ,  B29B9/08 ,  B29B9/10 ,  B29B9/12 ,  B29K2063/00 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种通过提高片的密度可减少封装内部发生空隙的半导体密封用片的制造方法。该半导体密封用片的制造方法是：制作以下述的(A)～(C)成分为必要成分的环氧树脂组合物的混炼物以后；将所述混炼物成型为薄片密度比为98%或98%以上的薄片状；粉碎所述薄片状成型体以后，把该粉碎物打片成型为片密度比为94%或94%以上且不足98%的片状。其中(A)环氧树脂；(B)酚醛树脂；(C)无机物填充剂。