-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114136994A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111443343.1
申请日：2021-11-30
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置，利用位错的发光规律，通过SiC雪崩光电二极管在雪崩击穿下的发光图像，辨别SiC雪崩光电二极管有源区内是否存在位错缺陷，进行高质量SiC雪崩光电二极管筛选，是一种成本低、操作简单的无损检测方法。本发明与其他位错检测方法相比，所用设备(探针台、源表、COMS相机)均为微电子器件研究的常用设备，系统搭建简单、成本低、操作简单。
-
公开(公告)号：CN114256419B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202111524546.3
申请日：2021-12-14
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法，包括均匀涂抹有机半导体材料于下基板上；在下基板上构建用于有机半导体材料结晶的矩形生长空腔；在第一温度下，矩形生长空腔内的有机半导体材料预结晶生成母版；在第二温度下，母版再结晶，即得。本发明通过升华法预生长有机晶态薄膜，并且可以通过温度和时间来精确控制晶态薄膜的层数，进一步加热再生长可以获得大面积的单层二维有机半导体晶态薄膜。相较于其他的二维有机半导体晶态薄膜生长方法，它的制备成本更低，要求的操作水平更低，更重要的是，制备的晶态薄膜面积大，该方法可能满足于不同功能应用中可调形态有机半导体生长。
-
公开(公告)号：CN114256419A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111524546.3
申请日：2021-12-14
Applicant: 无锡学院
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法，包括均匀涂抹有机半导体材料于下基板上；在下基板上构建用于有机半导体材料结晶的矩形生长空腔；在第一温度下，矩形生长空腔内的有机半导体材料预结晶生成母版；在第二温度下，母版再结晶，即得。本发明通过升华法预生长有机晶态薄膜，并且可以通过温度和时间来精确控制晶态薄膜的层数，进一步加热再生长可以获得大面积的单层二维有机半导体晶态薄膜。相较于其他的二维有机半导体晶态薄膜生长方法，它的制备成本更低，要求的操作水平更低，更重要的是，制备的晶态薄膜面积大，该方法可能满足于不同功能应用中可调形态有机半导体生长。
-
公开(公告)号：CN218101277U
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202221351325.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 无锡学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105 , H01L31/107
Abstract: 本实用新型公开一种半透明电极紫外单光子探测器，包括上电极、下电极、外延层和n+型SiC衬底，其中，所述上电极的厚度在2‑15nm之间，所述n+型SiC衬底的正面制备有所述外延层，所述外延层的正面设置有所述上电极，所述n+型SiC衬底的背面制备有所述下电极。本实用新型的方案与现有SiC紫外单光子探测器件相比，在不增加器件制备工艺难度的前提下，采取改良电极的方式，将上电极的厚度减小至2‑15nm，相较于传统电极厚度，半透明电极紫外单光子探测器中材料对入射光的吸收更高，能够提高器件量子效率。
-
公开(公告)号：CN217562581U
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202221364204.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 无锡学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105 , H01L31/107
Abstract: 一种栅型电极结构SiC雪崩光电二极管，包括n+型SiC衬底、底部n型欧姆接触电极、外延层、上层p型欧姆接触电极和电极，其中：n+型SiC衬底的正面设置外延层，外延层的正面设置上层p型欧姆接触电极，n+型SiC衬底的底面设置底部n型欧姆接触电极；外延层为p+/p/i/n+结构；上层p型欧姆接触电极为栅型结构的电极，上层p型欧姆接触电极由根电极和枝电极组成，其中，枝电极由多个条形电极组成，枝电极的多个条形电极垂直于SiC材料方向，根电极为一个条形电极，将枝电极的多个条形电极连接在一起；上层p型欧姆接触电极与电极连接。本实用新型将上层p型欧姆接触电极优化为栅极结构，提高电场分布均匀性，增加光生载流子的雪崩几率，优化器件探测能力。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.012 seconds)
