公开(公告)号：CN102205951A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110091772.7

申请日：2011-04-13

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  杨建强 ,  吴荣 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C01B21/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结阵列的方法，是通过以下工艺过程实现的：用两步化学气相沉积(CVD)方法来制备，第一步，在CVD管式炉中，用无水三氯化铝(AlCl3)作为铝(Al)源，通入氨气(NH3)作为氮(N)源，反应后得到白色片状独立自支撑的AlN纳米棒阵列；第二步，在白色片状AlN纳米棒阵列上镀金(Au)作为催化剂，在CVD管式炉中，用金属镓(Ga)和NH3作为反应源在AlN纳米棒阵列上生长GaN的异质结。本发明所制备材料为氮化铝和氮化镓纳米棒阵列，其特点是：在微观上为纳米棒异质结阵列，在宏观上为独立、自支撑的白色薄片。

公开(公告)号：CN102205951B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110091772.7

申请日：2011-04-13

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  杨建强 ,  吴荣 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C01B21/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结阵列的方法，是通过以下工艺过程实现的：用两步化学气相沉积(CVD)方法来制备，第一步，在CVD管式炉中，用无水三氯化铝(AlCl3)作为铝(Al)源，通入氨气(NH3)作为氮(N)源，反应后得到白色片状独立自支撑的AlN纳米棒阵列；第二步，在白色片状AlN纳米棒阵列上镀金(Au)作为催化剂，在CVD管式炉中，用金属镓(Ga)和NH3作为反应源在AlN纳米棒阵列上生长GaN的异质结。本发明所制备材料为氮化铝和氮化镓纳米棒阵列，其特点是：在微观上为纳米棒异质结阵列，在宏观上为独立、自支撑的白色薄片。

公开(公告)号：CN102154627A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110023303.1

申请日：2011-01-21

Applicant: 新疆大学

Inventor： 简基康 ,  李加杰 ,  杨建强 ,  李海兵 ,  吴荣 ,  李锦

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种制备独立自支撑透明氮化铝纳米晶薄膜的方法，是通过以下工艺过程实现的：将装有一定量无水AlCl3(纯度为质量百分比98％-99％)粉末的陶瓷舟置于长度为100cm的水平管式炉气流方向上游距管口6cm-9cm处，在距陶瓷舟20cm-25cm处放置石英管、陶瓷片等作为产物收集器，密闭管式炉抽真空到2×10-2-10-3Pa，Ar气保护下加热水平管式炉到760℃-900℃后，通入200sccm-300sccm的NH3气反应四小时，Ar气保护下自然冷却到室温，在收集器上得到独立自支撑透明氮化铝薄膜。本发明所制备薄膜为纤锌矿结构氮化铝，其特点是：在微观上为纳米晶阵列，在宏观上为独立、自支撑、透明的氮化铝薄膜。