公开(公告)号：CN109735898A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811422854.3

申请日：2018-11-27

Applicant: 成都信息工程大学

Inventor： 王阳培华 ,  朱兴华 ,  田海波 ,  孙辉 ,  杨定宇 ,  李继涛 ,  高秀英 ,  勾宗燕 ,  黄龙思博

IPC: C30B29/12 ,  C30B28/12

Abstract: 本发明公开了一种基于真空热蒸发法的碘化铅多晶膜的制备方法，根据半导体清洗标准对ITO玻璃衬底置于去离子水中超声清洗15min—30min，再放入乙醇中进行超声清洗15min—30min，接着放入丙酮中超声清洗15min，然后使用惰性气体枪吹干，最好放入清洗机中清洗15min—30min，取出放入指定烘箱中在150℃—200℃烘烤3h备用；同时杜绝了加热源中可能存在的挥发性物质对多晶膜的污染，减少了多晶膜的缺陷；从而进一步提高了碘化铅多晶膜的各项性能指标。