-
公开(公告)号：CN108774057B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201810719547.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01F1/36 , C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供了一种用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性陶瓷材料制备领域。所述NiCuZn旋磁铁氧体材料由主料和二元复合掺杂构成，所述二元复合掺杂以MnO2和Bi2O3为原料，其中，MnO2的按照主料粉体质量的0.5wt％复合配置，Bi2O3的含量分别为所述主料粉体质量的0.0wt％，0.5wt％，1.0wt％，1.5wt％，2.0wt％，3.0wt％复合配置。同时，在制备用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料时采用新型烧结方法。本发明采用二元掺杂复合配置及新型烧结方法，进行旋磁性能调控制备的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以解决在满足LTCC工艺之下，低温烧结中由于晶粒生长不充分，易出现多孔结构，导致密度低，空隙大，铁磁共振线宽高等技术难题。制备了很好旋磁性能的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以广泛用于微波器件及微波电路系统中。
-
公开(公告)号：CN108052292A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711420007.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
Abstract: 本发明涉及存储技术领域，本发明实施例公开了一种固态硬盘的高温保护方法，所述方法包括:检测固态硬盘的温度，根据反馈的温度信息，合理高效地限制固态硬盘的带宽且保证了固态硬盘的其他性能指标。借此，本发明针对固态硬盘在一些特殊的应用场景如环境温度高达至40℃～100℃，避免了高温条件下固态硬盘进入异常模式，防止过高温度导致固态硬盘烧坏，造成数据丢失，大大增强了固态硬盘的可靠性，解决了固态硬盘在高温下的应用技术难点。
-
公开(公告)号：CN106875974B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201710156206.7
申请日：2017-03-16
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明公开了一种OTP（一次可编程）存储装置和访问OTP存储器的方法，按照本发明的方法和装置实现对OTP存储器的操作，及根据可配置的访问OTP存储器指令产生对应不同指令的接口时序。同时，在对OTP存储器编程操作中，提出一种全新、高效、高可靠性的编程方法，针对对OTP编程地址的冗余处理及在编程操作中采取对同一个地址至多允许高达16次脉冲编程的方法，极大程度解决了访问OTP存储器时容易出现编程出错的问题，大大提高了OTP存储器的可靠性，最大程度实现对OTP存储器地利用。
-
公开(公告)号：CN108774057A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810719547.5
申请日：2018-07-03
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F1/36
CPC classification number: C04B35/265 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B2235/3267 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , H01F1/344 , H01F1/36
Abstract: 本发明提供了一种用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料及其制备方法，属于磁性陶瓷材料制备领域。所述NiCuZn旋磁铁氧体材料由主料和二元复合掺杂构成，所述二元复合掺杂以MnO2和Bi2O3为原料，其中，MnO2的按照主料粉体质量的0.5wt％复合配置，Bi2O3的含量分别为所述主料粉体质量的0.0wt％，0.5wt％，1.0wt％，1.5wt％，2.0wt％，3.0wt％复合配置。同时，在制备用于LTCC环形器的NiCuZn旋磁铁氧体材料时采用新型烧结方法。本发明采用二元掺杂复合配置及新型烧结方法，进行旋磁性能调控制备的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以解决在满足LTCC工艺之下，低温烧结中由于晶粒生长不充分，易出现多孔结构，导致密度低，空隙大，铁磁共振线宽高等技术难题。制备了很好旋磁性能的NiCuZn旋磁铁氧体材料，以广泛用于微波器件及微波电路系统中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107977169A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711420029.5
申请日：2017-12-25
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
Abstract: 本发明涉及存储技术领域，本发明提供一种高可靠性固态硬盘，包括:前端主机通讯接口、固态硬盘控制器及NAND Flash存储介质芯片，所述前端主机通讯接口与固态硬盘控制器相连，所述固态硬盘控制器，与主机通讯接口相连，还与两个以上通道的NAND Flash存储芯片相连，用于控制整个固态硬盘盘片的数据传输、命令传输及对盘片的读取、编程、擦除业务操作的控制。借此，本发明针对固态硬盘在一些特殊的应用场景如环境温度高达至40℃～100℃，避免了高温条件下固态硬盘进入异常模式，防止过高温度导致固态硬盘烧坏，造成数据丢失。本发明在固态硬盘控制器中嵌入高温保护电路，增强了固态硬盘的可靠性，解决了固态硬盘在高温下的应用技术难点。
-
公开(公告)号：CN106875974A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710156206.7
申请日：2017-03-16
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10 , G11C2216/26
Abstract: 本发明公开了一种OTP（一次可编程）存储装置和访问OTP存储器的方法，按照本发明的方法和装置实现对OTP存储器的操作，及根据可配置的访问OTP存储器指令产生对应不同指令的接口时序。同时，在对OTP存储器编程操作中，提出一种全新、高效、高可靠性的编程方法，针对对OTP编程地址的冗余处理及在编程操作中采取对同一个地址至多允许高达16次脉冲编程的方法，极大程度解决了访问OTP存储器时容易出现编程出错的问题，大大提高了OTP存储器的可靠性，最大程度实现对OTP存储器地利用。
-
公开(公告)号：CN208061060U
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201820608361.8
申请日：2018-04-26
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本实用新型涉及一种基于CMOS工艺的具有电阻补偿的带隙基准电路，属于模拟集成电路领域，具体涉及一种具有电阻补偿的带隙基准电路。本实用新型包括：带隙基准核心电路和补偿电流产生电路，其中补偿电流产生电路包括电流乘法器电路、IPTAT产生电路、IPTAT2产生电路、IPTAT4产生电路和Iout产生电路。本实用新型通过电路的巧妙转换，而无需采用多种工艺制造，在原理上使用类似电阻补偿方式进行补偿，但是实现并不需要真实电阻，从工艺的角度相比其他采用多种工艺的电阻补偿方式大大减少加工成本，解决了电阻对工艺的依赖性问题。并且本实用新型采用一种电阻方式进行补偿，大大提高了带隙基准的温度系数特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN207882791U
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201820191341.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 公开了一种无运放高阶低温漂带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、正温度系数电路、负温度系数电路、正温度系数补偿电路、负温度系数补偿电路，该无运放高阶低温漂带隙基准电路采用无运放电路结构，采用BJT电流镜提高了输出基准电压的电源抑制比(PSRR)。本实用新型提供的电路具有12V～36V的宽电压输入、0～7V的可调宽输出电压、在-75℃～125℃的温度范围内产生温度系数为5ppm/℃的基准电压，功耗极低35mW和高阶温度补偿的特征。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN207690062U
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201721838695.6
申请日：2017-12-25
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及存储技术领域，本实用新型提供一种高可靠性固态硬盘，包括:前端主机通讯接口、固态硬盘控制器及NAND Flash存储介质芯片，所述前端主机通讯接口与固态硬盘控制器相连，所述固态硬盘控制器，与主机通讯接口相连，还与两个以上通道的NAND Flash存储芯片相连，用于控制整个固态硬盘盘片的数据传输、命令传输及对盘片的读取、编程、擦除业务操作的控制。借此，本实用新型针对固态硬盘在一些特殊的应用场景如环境温度高达至40℃～100℃，避免了高温条件下固态硬盘进入异常模式，防止过高温度导致固态硬盘烧坏，造成数据丢失。本实用新型在固态硬盘控制器中嵌入高温保护电路，增强了固态硬盘的可靠性，解决了固态硬盘在高温下的应用技术难点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.077 seconds)
