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公开(公告)号：CN103907403A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280053078.9
申请日：2012-10-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/46 , H01F38/14 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 一种等离子体处理设备可包括：处理腔室；第一RF线圈、第二RF线圈及第三RF线圈；至少一个铁氧体遮罩(ferrite？shield)。该处理腔室具有内部处理容积；该第一RF线圈、该第二RF线圈及该第三RF线圈接近处理腔室设置以将RF能量耦合至处理容积中，其中第二RF线圈相对于第一RF线圈同轴地设置，且其中第三RF线圈相对于第一RF线圈及第二RF线圈同轴地设置；该至少一个铁氧体遮罩接近第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中的至少一个设置，其中铁氧体遮罩经配置以局部导引通过RF电流产生的磁场，该RF电流经由第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈流向处理腔室，其中等离子体处理设备经配置以控制流经第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中的每一个的每一RF电流的相位。
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公开(公告)号：CN105247967B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201480028235.X
申请日：2014-05-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的诸实施例包括用于使用经由匹配网络耦合至工艺腔室的RF电源在该工艺腔室中进行等离子体处理的方法与设备。在一些实施例中，该方法包括：当匹配网络处于保持模式时，由RF电源以第一频率将RF功率提供给工艺腔室；在第一时期期间，使用RF电源将第一频率调整为第二频率以点燃等离子体；在第二时期期间，使用RF电源将第二频率调整为已知的第三频率，同时维持等离子体；以及将匹配网络的操作模式改变为自动调谐模式以减小由RF电源提供的RF功率的反射功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112805635B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201980066062.3
申请日：2019-10-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: G05B13/04 , G05B19/418 , H01L21/67
Abstract: 构建了一种空间模型以预测处理腔室的性能。所述空间模型用于在工艺开发阶段期间更快地收敛至期望的工艺。一种用于在制造期间控制器件性能变化性的系统包括工艺平台、板上计量(OBM)工具、以及基于机器学习的工艺控制模型。所述系统接收SEM计量数据，并使用机器学习技术来定期地(例如晶片到晶片、批次到批次、腔室到腔室等等)更新工艺控制模型。对工艺控制模型的定期更新可考虑到腔室到腔室变化性。
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公开(公告)号：CN105247967A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480028235.X
申请日：2014-05-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
Abstract: 本公开的诸实施例包括用于使用经由匹配网络耦合至工艺腔室的RF电源在该工艺腔室中进行等离子体处理的方法与设备。在一些实施例中，该方法包括：当匹配网络处于保持模式时，由RF电源以第一频率将RF功率提供给工艺腔室；在第一时期期间，使用RF电源将第一频率调整为第二频率以点燃等离子体；在第二时期期间，使用RF电源将第二频率调整为已知的第三频率，同时维持等离子体；以及将匹配网络的操作模式改变为自动调谐模式以减小由RF电源提供的RF功率的反射功率。
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公开(公告)号：CN116415691B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310347326.0
申请日：2019-10-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 构建了一种空间模型以预测处理腔室的性能。所述空间模型用于在工艺开发阶段期间更快地收敛至期望的工艺。一种用于在制造期间控制器件性能变化性的系统包括工艺平台、板上计量(OBM)工具、以及基于机器学习的工艺控制模型。所述系统接收SEM计量数据，并使用机器学习技术来定期地(例如晶片到晶片、批次到批次、腔室到腔室等等)更新工艺控制模型。对工艺控制模型的定期更新可考虑到腔室到腔室变化性。
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公开(公告)号：CN116415691A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310347326.0
申请日：2019-10-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 构建了一种空间模型以预测处理腔室的性能。所述空间模型用于在工艺开发阶段期间更快地收敛至期望的工艺。一种用于在制造期间控制器件性能变化性的系统包括工艺平台、板上计量(OBM)工具、以及基于机器学习的工艺控制模型。所述系统接收SEM计量数据，并使用机器学习技术来定期地(例如晶片到晶片、批次到批次、腔室到腔室等等)更新工艺控制模型。对工艺控制模型的定期更新可考虑到腔室到腔室变化性。
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公开(公告)号：CN112805635A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980066062.3
申请日：2019-10-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: G05B13/04 , G05B19/418 , H01L21/67
Abstract: 构建了一种空间模型以预测处理腔室的性能。所述空间模型用于在工艺开发阶段期间更快地收敛至期望的工艺。一种用于在制造期间控制器件性能变化性的系统包括工艺平台、板上计量(OBM)工具、以及基于机器学习的工艺控制模型。所述系统接收SEM计量数据，并使用机器学习技术来定期地(例如晶片到晶片、批次到批次、腔室到腔室等等)更新工艺控制模型。对工艺控制模型的定期更新可考虑到腔室到腔室变化性。
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