公开(公告)号：CN119894124A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510029153.7

申请日：2025-01-08

Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心 ,  复旦大学

Inventor： 许宁生 ,  朱正瑞 ,  邓少芝

IPC: H10F30/24 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种二维叠层泛光谱敏感光波段探测器及其制备方法。该探测器包括衬底接触、衬底、绝缘层、第一叠层、第二叠层、第三叠层、发射极、基极、集电极，所述绝缘层叠设于衬底上，所述发射极、基极、集电极依次设置于所述绝缘层背离衬底的一侧，且所述发射极、基极、集电极分别与第三叠层、第二叠层、第一叠层接触，所述发射极、基极、集电极配置偏置电压，偏置电压由两个电压源产生，两个电压源以所述发射极、基极、集电极任意一个电极作为共同接地点，向剩余两个电极分别配置两个偏置电压。本发明的二维叠层泛光谱敏感光波段探测器为片上集成结构，具有微型、低功耗、宽带探测的特点。

公开(公告)号：CN119738035A

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202411939581.5

申请日：2024-12-26

Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心

Inventor： 邓少芝 ,  王锡描 ,  陈焕君 ,  许宁生

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种单原子层极化激元序构双参量太赫兹器件及制备方法，其中，一种单原子层极化激元序构双参量太赫兹器件，包括：介质衬底、金属电极和序构探测材料；金属电极至少三个，序构探测材料的数量比金属电极的数量少一个；多个金属电极在介质衬底上沿第一方向依次排列；序构探测材料的材质为单原子层二维晶体；序构探测材料包括多个序构条带和设于序构条带两端的连接部，序构条带由多个相同形状的序构基元依次连接而成，多个序构条带在介质衬底上沿第二方向依次分布；每个序构探测材料的序构基元的形状均不同；每个序构探测材料设于序构条带两端的连接部在第一方向上分别连接相邻的两个金属电极；其中，第一方向和第二方向相互垂直。

公开(公告)号：CN119726313A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411925297.2

申请日：2024-12-25

Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心

Inventor： 王锡描 ,  邓少芝 ,  陈焕君 ,  许宁生

IPC: H01S1/00

Abstract: 本发明公开一种二维极化激元序构太赫兹微纳器件的封装方法，涉及二维极化激元序构微纳器件的技术领域。本发明所述封装方法包括以下步骤：将器件的硅衬底层与硅透镜底部键合，得到集成模块；在硅透镜的外侧设置第一金属外壳；在第一金属外壳的外侧设置第二金属外壳，第二金属外壳包括第一金属引脚和第二金属引脚；将源极金属电极、栅极金属电极、漏极金属电极分别与第一金属引脚、第二金属引脚以及第二金属外壳连通；往集成模块和第二金属外壳之间的间隙填充绝缘密封胶；在第二金属外壳的下方设置第三金属外壳。本发明能够实现对新兴二维材料极化激元序构探测器件实现无损封装，并且能够提升器件的光电响应性能、器件的稳定性和寿命等优势。

公开(公告)号：CN117382321A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311169355.9

申请日：2023-09-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘利伟 ,  蔡正刚 ,  薛思惟 ,  许宁生 ,  周鹏

IPC: B41M1/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  C23C16/30 ,  H01L33/00 ,  B41M1/26

Abstract: 本发明实施例提供一种涉及二维原子晶体材料转移技术领域，具体涉及一种用于制备晶圆级二维材料阵列的方法，包括：按预设比例配制混合溶液；制备上表面具有多个PDMS凸起的PDMS印章，使多个PDMS凸起以预设图案样式规则排布；在生长衬底上生长连续的单层二维TMDs薄膜；使PDMS印章的PDMS凸起与单层二维TMDs薄膜粘贴；通过混合溶液使单层二维TMDs薄膜与生长衬底分离；将与PDMS凸起上表面接触部分之外的单层二维TMDs薄膜剥离，得到图案化单层二维TMDs薄膜；将图案化单层二维TMDs薄膜转移到目标衬底上。通过该方法转印晶圆尺寸的图案化单层二维材料解决了现有技术无法低成本、高效、简单的转印大尺寸的单层二维TMDs薄膜，无法满足大规模晶粒集成的问题。

公开(公告)号：CN115763219A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211295202.4

申请日：2022-10-21

Applicant: 中山大学 ,  复旦大学

Inventor： 邓少芝 ,  刘利伟 ,  许宁生 ,  周鹏

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明实施例提供一种涉及二维原子晶体材料转移技术领域，具有涉及一种制备图案化单层二维材料的方法，所述方法包括：制备上表面具有多个PDMS凸起的图案化PDMS印章，并使所述多个PDMS凸起以预设图案的样式排布；在薄膜衬底上生长连续的单层二维TMDs薄膜；将所述单层二维TMDs薄膜转印到所述PDMS凸起的上表面，得到图案化单层二维TMDs薄膜；将所述图案化单层二维TMDs薄膜转移到目标衬底上，得到图案化单层二维材料。通过所述方法转印图案化单层二维材料解决了现有技术二维材料图案化和转移二维材料流程复杂、成本高昂、耗时长的问题。