公开(公告)号：CN100517658C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610163133.6

申请日：2006-11-30

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 大汤静宪 ,  青木茂

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/78 ,  H01L23/26 ,  H01L23/3128 ,  H01L29/0657 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明目的是提供一种具有低破损风险的高可靠性的半导体芯片。具体而言，本发明提供一种具有半导体硅衬底的半导体芯片，该半导体硅衬底包含半导体器件层、多孔硅域层，在所述半导体硅衬底的一个表面上的主表面区内形成所述半导体器件层，在背面即该半导体硅衬底的另一表面上的主表面区内形成所述多孔硅域层，并且所述多孔硅域层具有在该半导体硅衬底的背面上以岛状分布的多孔硅域。

公开(公告)号：CN1976012A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610163133.6

申请日：2006-11-30

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 大汤静宪 ,  青木茂

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/78 ,  H01L23/26 ,  H01L23/3128 ,  H01L29/0657 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明目的是提供一种具有低破损风险的高可靠性的半导体芯片。具体而言，本发明提供一种具有半导体硅衬底的半导体芯片，该半导体硅衬底包含半导体器件层、多孔硅域层，在所述半导体硅衬底的一个表面上的主表面区内形成所述半导体器件层，在背面即该半导体硅衬底的另一表面上的主表面区内形成所述多孔硅域层，并且所述多孔硅域层具有在该半导体硅衬底的背面上以岛状分布的多孔硅域。