公开(公告)号：CN1722301A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510078130.8

申请日：2005-06-13

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 藤间志郎

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/419 ,  G11C8/00

CPC classification number: G11C8/08

Abstract: 本发明提供一种具有电路规模小、稳定进行动作的字线驱动电路的半导体存储装置。具有：向第1电位驱动字线信号(15)的第1驱动电路(11)；向第2电位驱动字线信号(15)的第2驱动电路(12)；向第3电位驱动字线信号(15)的第3驱动电路(13)；以及驱动控制电路(14)。驱动控制电路(14)在输入信号(16)为第1逻辑值时使第1驱动电路(11)进行动作，在输入信号(16)从第1逻辑值跃迁至第2逻辑值时使第2驱动电路(12)进行动作，在检测出向第2电位驱动了字线驱动信号(15)这一情况时使第3驱动电路(13)进行动作。

公开(公告)号：CN1722301B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200510078130.8

申请日：2005-06-13

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 藤间志郎

IPC: G11C11/409 ,  G11C11/419 ,  G11C8/00

CPC classification number: G11C8/08

Abstract: 本发明提供一种具有电路规模小、稳定进行动作的字线驱动电路的半导体存储装置。具有：向第1电位驱动字线信号(15)的第1驱动电路(11)；向第2电位驱动字线信号(15)的第2驱动电路(12)；向第3电位驱动字线信号(15)的第3驱动电路(13)；以及驱动控制电路(14)。驱动控制电路(14)在输入信号(16)为第1逻辑值时使第1驱动电路(11)进行动作，在输入信号(16)从第1逻辑值跃迁至第2逻辑值时使第2驱动电路(12)进行动作，在检测出向第2电位驱动了字线驱动信号(15)这一情况时使第3驱动电路(13)进行动作。

公开(公告)号：CN100405503C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200410031974.2

申请日：2004-03-31

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 藤间志郎

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C29/785

Abstract: 一种冗余控制电路包括：多个程序单元(100)和电压控制部分(101，105，106，107)。在多个程序单元(100)中，通过由于施加电压(SVT)造成介质击穿来对表示缺陷位置的缺陷地址(XAD)进行编程。电压控制部分(101，105，106，107)同时施加电压(SVT)给多个目标程序单元(100)中的一部分。多个目标程序单元(100)是对应于缺陷地址(XAD)而要被介质击穿的多个程序单元(100)的一部分。

公开(公告)号：CN1538458A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410031974.2

申请日：2004-03-31

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 藤间志郎

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C17/18 ,  G11C29/785

Abstract: 一种冗余控制电路包括：多个程序单元(100)和电压控制部分(101，105，106，107)。在多个程序单元(100)中，通过由于施加电压(SVT)造成介质击穿来对表示缺陷位置的缺陷地址(XAD)进行编程。电压控制部分(101，105，106，107)同时施加电压(SVT)给多个目标程序单元(100)中的一部分。多个目标程序单元(100)是对应于缺陷地址(XAD)而要被介质击穿的多个程序单元(100)的一部分。