公开(公告)号：CN100502033C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610054736.2

申请日：2006-03-10

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 大汤静宪 ,  滨田耕治 ,  小此木坚祐 ,  三宅秀治 ,  神月靖 ,  渡边正晴

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供半导体芯片，其含有具有半导体器件区域和多孔单晶层的半导体衬底，其特征在于，所述半导体器件区域形成于所述半导体衬底的主表面部，所述多孔单晶层形成于所述半导体衬底背面的内部区域，且所述多孔单晶层包括从所述半导体衬底背面在所述半导体衬底的内部方向上连续的侵蚀孔、形成于所述侵蚀孔内部表面的氧化膜、及单晶部分。

公开(公告)号：CN1832196A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610054736.2

申请日：2006-03-10

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 大汤静宪 ,  滨田耕治 ,  小此木坚祐 ,  三宅秀治 ,  神月靖 ,  渡边正晴

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供半导体芯片，其含有具有半导体器件区域和多孔单晶层的半导体衬底，其特征在于，所述半导体器件区域形成于所述半导体衬底的主表面部，所述多孔单晶层形成于所述半导体衬底背面的内部区域，且所述多孔单晶层包括从所述半导体衬底背面在所述半导体衬底的内部方向上连续的侵蚀孔、形成于所述侵蚀孔内部表面的氧化膜、及单晶部分。