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公开(公告)号：CN101009285A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710004402.9
申请日：2007-01-18
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 斋野敢太
IPC: H01L27/108 , H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包含半导体衬底，MOS晶体管和反熔丝元件。所述MOS晶体管形成在所述半导体衬底上并包含沟道区和栅电极。所述沟道区具有预定导电类型。所述反熔丝元件形成在所述半导体衬底上并包含预定区和反熔丝电极。所述预定区具有预定导电类型并通过所述沟道区形成工艺形成。所述反熔丝电极通过所述栅电极形成工艺形成。优选地，所述反熔丝元件也是预定导电类型。
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