公开(公告)号：CN100583399C

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200510059525.3

申请日：2005-03-25

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 大汤静宪 ,  小此木坚祐 ,  小林宏尚 ,  滨田耕治

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/304

Abstract: 在制造半导体器件的过程中，在晶片的背面上形成第一吸杂层，然后在芯片的背面和侧表面上形成第二吸杂层，由此使得这些吸杂层作为阻止在装配工序中背面研磨之后产生的金属杂质的捕获点。

公开(公告)号：CN1674238A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510059525.3

申请日：2005-03-25

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 大汤静宪 ,  小此木坚祐 ,  小林宏尚 ,  滨田耕治

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/304

Abstract: 在制造半导体器件的过程中，在晶片的背面上形成第一吸杂层，然后在芯片的背面和侧表面上形成第二吸杂层，由此使得这些吸杂层作为阻止在装配工序中背面研磨之后产生的金属杂质的捕获点。