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公开(公告)号：CN1959953A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610136554.X
申请日：2006-10-25
Applicant: 尔必达存储器株式会社
Inventor： 前川厚志
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76885 , H01L27/10855
Abstract: 本发明的目标是提供通过以下形成防止接触插塞和位线之间短路的高可靠性接触插塞的方法：应用关于氮化硅膜具有100以上蚀刻速率比的材料作为形成自动对准接触插塞的层间膜。在形成位线之后，所述位线的顶面和侧面被氮化硅膜覆盖，形成由无定形碳膜组成的牺牲层间膜，以便覆盖位线的整个表面，并且通过按顺序蚀刻牺牲层间膜和下层的层间绝缘膜形成接触孔，由此形成电容接触插塞。然后，通过去除牺牲层间膜形成电容接触插塞的柱，在柱上形成第三层间绝缘膜，并且从其表面去除部分的第三层间绝缘膜，由此暴露电容接触插塞的表面。
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