公开(公告)号：CN100364067C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410031392.4

申请日：2004-03-26

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小柳贤一 ,  佐久间浩

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/84 ,  H01L28/90

Abstract: 一种形成电容绝缘膜的方法，包括的步骤是：通过供给包括金属而不含氧的金属源，在底膜上沉积由金属构成的单原子膜，采用CVD技术沉积包含所述金属的金属氧化膜。这种方法能够高生产量地提供具有更好的膜特性的金属氧化膜。

公开(公告)号：CN1534741A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031392.4

申请日：2004-03-26

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小柳贤一 ,  佐久间浩

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31637 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/84 ,  H01L28/90

Abstract: 一种形成电容绝缘膜的方法，包括的步骤是：通过供给包括金属而不含氧的金属源，在底膜上沉积由金属构成的单原子膜，采用CVD技术沉积包含所述金属的金属氧化膜。这种方法能够高生产量地提供具有更好的膜特性的金属氧化膜。