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发明公开
半导体器件及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN1877839A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610054758.9

申请日：2006-03-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 奥野昌树 , 岸井贞浩 , 森冈博 , 寺原政德 , 佐藤成生 , 铃木腕

IPC: H01L27/092 , H01L21/762 , H01L21/8238

Abstract: 本发明公开一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体衬底；设置在该半导体衬底的预定位置的器件区域；以及隔离该器件区域的浅槽隔离区域。该浅槽隔离区域包括：沟槽；设置在沟槽侧壁的上部的氮化膜衬层；设置在沟槽侧壁的下部的热氧化膜。该浅槽隔离如下设置：将浅槽隔离区域第二部分的宽度设置为比浅槽隔离区域的第一部分的宽度宽，该第二部分设置有该热氧化膜，该第一部分设置有该氮化膜衬层的下端。

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