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公开(公告)号：CN104025446B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201280065896.0
申请日：2012-03-30
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 豊田治
IPC: H02N2/00
CPC classification number: H02K33/00 , H01L41/125 , H02N2/186
Abstract: 具有：振动构件，其具有韧性层和层叠在所述韧性层上方且由磁致伸缩材料形成的磁致伸缩层，所述韧性层由抗拉强度比所述磁致伸缩材料高的韧性材料形成；支撑构件，其安装有所述振动构件，并且所述振动构件能够沿厚度方向振动；磁场施加构件，其对所述磁致伸缩层施加磁场；线圈，其配置在所述磁致伸缩层的周围。
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公开(公告)号：CN102683770B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210061293.5
申请日：2012-03-09
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01P1/20327 , H01P7/088
Abstract: 本发明提供了一种可变滤波器以及通信装置，该可变滤波器包括：在包括接地导体的介电衬底上，第一谐振器，包括连接至输入端子的传输线；第二谐振器，包括连接至输出端子的传输线；耦合部分，包括一端连接至第一和第二谐振器并且另一端是开口端的传输线，或者一端连接至第一和第二谐振器、并包括串联连接的传输线和可变电容器的结构，可变电容器的另一端连接至接地导体；以及调节器件，能够改变第一和第二谐振器以及耦合部分的电长度；其中，通过改变所述耦合部分的电传输长度与包括所述耦合部分以及所述第一谐振器和所述第二谐振器的传输线的电传输长度的比例，能够改变通带宽度。本发明能够调节通带的中心频率和通带宽度。
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公开(公告)号：CN102683770A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210061293.5
申请日：2012-03-09
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01P1/20327 , H01P7/088
Abstract: 本发明提供了一种可变滤波器以及通信装置，该可变滤波器包括：在包括接地导体的介电衬底上，第一谐振器，包括连接至输入端子的传输线；第二谐振器，包括连接至输出端子的传输线；耦合部分，包括一端连接至第一和第二谐振器并且另一端是开口端的传输线，或者一端连接至第一和第二谐振器、并包括串联连接的传输线和可变电容器的结构，可变电容器的另一端连接至接地导体；以及调节器件，能够改变第一和第二谐振器以及耦合部分的电长度；其中，通过改变所述耦合部分的电传输长度与包括所述耦合部分以及所述第一谐振器和所述第二谐振器的传输线的电传输长度的比例，能够改变通带宽度。本发明能够调节通带的中心频率和通带宽度。
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公开(公告)号：CN104115392A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201280069817.3
申请日：2012-03-14
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H02N2/00
CPC classification number: H02N2/186 , H01L41/125
Abstract: 本发明提供一种使用逆磁致伸缩现象且具有新结构的发电装置。发电装置具有：支撑构件；第一磁致伸缩构件，一端侧安装在支撑构件上，使得一端侧成为固定端而另一端侧成为振动端；第二磁致伸缩构件，与第一磁致伸缩构件并列配置且一端侧安装在支撑构件上，使得一端侧成为固定端而另一端侧成为振动端；振动联动构件，连接第一磁致伸缩构件和第二磁致伸缩构件，使得第一磁致伸缩构件和第二磁致伸缩构件联动振动；线圈，缠绕在第一磁致伸缩构件以及第二磁致伸缩构件中的至少一个磁致伸缩构件的周围；以及磁路形成构件，具备磁铁，将第一磁致伸缩构件和第二磁致伸缩构件各自的一端侧之间以及各自的另一端侧之间磁性连接，在第一磁致伸缩构件和第二磁致伸缩构件上施加有相反方向的磁场，形成第一磁致伸缩构件和第二磁致伸缩构件相互成为磁路返回部的磁路。
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公开(公告)号：CN103843100A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201180073883.3
申请日：2011-10-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01H57/00
CPC classification number: H01L41/094 , B81B2201/016 , B81C1/00976 , H01H57/00 , H01H2057/006
Abstract: 提供一种容易制造并且能够有效抑制粘连的MEMS开关。MEMS开关具有：固定支撑部；板状挠性梁，至少一端被固定支撑在固定支撑部上，具有延伸的活动表面；活动电气触点，配置在挠性梁的活动表面上；固定电气触点，位置相对于固定支撑部固定，与活动电气触点相对置；第一压电驱动元件，从固定支撑部朝向活动电气触点而在挠性梁的活动表面的上方延伸，能够通过电压驱动使活动电气触点向固定电气触点发生位移；以及第二压电驱动元件，至少配置在挠性梁的活动表面上，通过电压驱动，向活动电气触点远离固定电气触点的方向驱动挠性梁的活动部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103843089A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201180073760.X
申请日：2011-10-19
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L28/60 , H01G5/16 , H01G5/18 , H01H59/0009 , H01H2001/0078 , H01H2059/0045 , H01H2059/0072 , H01L21/6835 , H01L21/687 , H02N1/006
Abstract: 提供能够抑制因热膨胀而引起的可动电极位移的可动电气设备。可动电气设备具有：支撑衬底；第一以及第二固定电极，其形成于支撑衬底上，具有相对于支撑衬底的表面大致垂直的相向电极面，在相向电极面之间划定内腔；可动部，其具有可动电极和弯曲弹簧部，可动电极的第一端接近第一固定电极，第二端接近第二固定电极，弯曲弹簧部与可动电极的第一端、第二端的至少一方连续，且包含向可动电极的厚度方向弯曲的部分；第一、第二固定件，其配置在支撑衬底上，支撑可动部的两端。
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公开(公告)号：CN103843089B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201180073760.X
申请日：2011-10-19
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L28/60 , H01G5/16 , H01G5/18 , H01H59/0009 , H01H2001/0078 , H01H2059/0045 , H01H2059/0072 , H01L21/6835 , H01L21/687 , H02N1/006
Abstract: 提供能够抑制因热膨胀而引起的可动电极位移的可动电气设备。可动电气设备具有：支撑衬底；第一以及第二固定电极，其形成于支撑衬底上，具有相对于支撑衬底的表面大致垂直的相向电极面，在相向电极面之间划定内腔；可动部，其具有可动电极和弯曲弹簧部，可动电极的第一端接近第一固定电极，第二端接近第二固定电极，弯曲弹簧部与可动电极的第一端、第二端的至少一方连续，且包含向可动电极的厚度方向弯曲的部分；第一、第二固定件，其配置在支撑衬底上，支撑可动部的两端。
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公开(公告)号：CN103843100B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201180073883.3
申请日：2011-10-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01H57/00
CPC classification number: H01L41/094 , B81B2201/016 , B81C1/00976 , H01H57/00 , H01H2057/006
Abstract: 提供一种容易制造并且能够有效抑制粘连的MEMS开关。MEMS开关具有：固定支撑部；板状挠性梁，至少一端被固定支撑在固定支撑部上，具有延伸的活动表面；活动电气触点，配置在挠性梁的活动表面上；固定电气触点，位置相对于固定支撑部固定，与活动电气触点相对置；第一压电驱动元件，从固定支撑部朝向活动电气触点而在挠性梁的活动表面的上方延伸，能够通过电压驱动使活动电气触点向固定电气触点发生位移；以及第二压电驱动元件，至少配置在挠性梁的活动表面上，通过电压驱动，向活动电气触点远离固定电气触点的方向驱动挠性梁的活动部。
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公开(公告)号：CN104025446A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065896.0
申请日：2012-03-30
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 豊田治
IPC: H02N2/00
CPC classification number: H02K33/00 , H01L41/125 , H02N2/186
Abstract: 具有：振动构件，其具有韧性层和层叠在所述韧性层上方且由磁致伸缩材料形成的磁致伸缩层，所述韧性层由抗拉强度比所述磁致伸缩材料高的韧性材料形成；支撑构件，其安装有所述振动构件，并且所述振动构件能够沿厚度方向振动；磁场施加构件，其对所述磁致伸缩层施加磁场；线圈，其配置在所述磁致伸缩层的周围。
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公开(公告)号：CN103430272B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201180069268.5
申请日：2011-06-02
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01H59/00
CPC classification number: B81B3/0018 , B81C1/00134 , H01H59/0009
Abstract: 本申请的提供一种提高电子器件的可靠性的电子器件及其制造方法、电子器件的驱动方法。所述电子器件（20）包括：基材（21）；导电膜（31），具备固定在基材（21）上的第一端部（33）和第二端部（34），在第一端部（33）和第二端部（34）之间相对于基材（21）能够横向移动；第一驱动电极（25），设置于基材（21）上的与导电膜（31）的第一主表面（31a）相向的位置，并被施加第一驱动电压（V1）；第二驱动电极（26），设置于基材（21）上的与导电膜（31）的第二主表面（31b）相向的位置，并被施加第二驱动电压（V2）；端子（28），设置于基材（21）上的能够与导电膜（31）的第二主表面（31b）接触的位置。
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