公开(公告)号：CN1384549A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN02121844.7

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 入野清 ,  森崎祐辅 ,  杉田义博 ,  谷田义明 ,  射场义久

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明的目的是在具有高介电体栅绝缘膜的超高速半导体装置中,抑制杂质元素从介入高介电体栅绝缘膜的栅电极到Si基板的扩散,或金属元素或氧原子从高介电体栅绝缘膜到Si基板或到栅电极的扩散。在通过原子层堆积形成高介电体栅绝缘膜时,形成将Si基板表面通过氧原子层均匀覆盖,在其上以在高介电体膜的上下通过氮原子层均匀覆盖的形式形成高介电体膜。

公开(公告)号：CN1206736C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02121844.7

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 入野清 ,  森崎祐辅 ,  杉田义博 ,  谷田义明 ,  射场义久

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明的目的是在具有高介电体栅绝缘膜的超高速半导体装置中，抑制杂质元素从介入高介电体栅绝缘膜的栅电极到Si基板的扩散，或金属元素或氧原子从高介电体栅绝缘膜到Si基板或到栅电极的扩散。在通过原子层堆积形成高介电体栅绝缘膜时，形成将Si基板表面通过氧原子层均匀覆盖，在其上以在高介电体膜的上下通过氮原子层均匀覆盖的形式形成高介电体膜。