Patent search ap:("富士通株式会社") AND inv:"小畑义则" Page 1

1.

发明公开
半导体存储装置的检查方法失效转让

公开(公告)号：CN1957424A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200480043138.4

申请日：2004-06-08

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 彦坂幸信 , 高松知广 , 小畑义则

IPC: G11C29/00 , G11C11/22 , H01L27/105

CPC classification number: G11C11/22 , G11C29/50 , G11C2029/5002

Abstract: 一种半导体存储装置的检查方法，对于具有使用了铁电电容器的非易失存储器的半导体存储装置的铁电电容器，在以第一极化状态放置了之后，包括：(a)写入与上述第一极化状态相反的第二极化状态的工序；(b)对上述第二极化状态进行放置的工序；(c)读取上述第二极化状态的工序，上述工序(a)的温度或电压比工序(c)的温度或电压低。提供一种能够在短时间内对印迹特性进行评价的半导体存储装置的检查方法。

Patent Agency Ranking