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公开(公告)号：CN1691143A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510060172.9
申请日：2003-04-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/84 , B22F2998/00 , G11B5/64 , B22F1/0018
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置，其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16)，所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上，其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间，该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10％或更小，超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间，并且记录层(14)的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面，以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。
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公开(公告)号：CN101556804A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910002093.0
申请日：2009-01-16
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质和磁记录再生设备。所述磁记录介质包含盘状基板和多个形成在所述基板上的记录位，其中所述记录位的底面被设置成面向所述基板，所述记录位的顶面被设置成与所述记录位的底面相对，并且Twb大于Twt，其中Twb代表所述底面在所述磁记录介质的径向上的宽度，Twt代表所述顶面在所述径向上的宽度。
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公开(公告)号：CN100336112C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200510060172.9
申请日：2003-04-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/84 , B22F2998/00 , G11B5/64 , B22F1/0018
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置，其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16)，所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上，其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间，该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10%或更小，超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间，并且记录层(14)的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面，以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103838551B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310606714.2
申请日：2013-11-25
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 井原宣孝
IPC: G06F9/38
Abstract: 公开了一种并行计算机及其控制方法。该并行计算机包括多个节点，并且当检测到在多个节点的每个中停止了用于作业的程序的执行时，多个节点中的一个节点从多个节点中的每个收集与障碍同步的进展状态有关的信息。而且，并行计算机中的多个节点中的一个节点基于在该一个节点中用于作业的程序的停止位置和从多个节点中的每个所收集的信息来确定在该一个节点中用于作业的程序的重新启动位置。
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公开(公告)号：CN1467706A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03110162.3
申请日：2003-04-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/84 , B22F2998/00 , G11B5/64 , B22F1/0018
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置，其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16)，所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上，其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间，该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10％或更小，超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间，并且记录层14的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面，以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。
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公开(公告)号：CN103838551A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310606714.2
申请日：2013-11-25
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 井原宣孝
IPC: G06F9/38
Abstract: 公开了一种并行计算机及其控制方法。该并行计算机包括多个节点，并且当检测到在多个节点的每个中停止了用于作业的程序的执行时，多个节点中的一个节点从多个节点中的每个收集与障碍同步的进展状态有关的信息。而且，并行计算机中的多个节点中的一个节点基于在该一个节点中用于作业的程序的停止位置和从多个节点中的每个所收集的信息来确定在该一个节点中用于作业的程序的重新启动位置。
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公开(公告)号：CN1230801C
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN03110162.3
申请日：2003-04-14
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/84 , B22F2998/00 , G11B5/64 , B22F1/0018
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁存储媒体、其制造方法和磁存储装置，其中能够高密度记录和再现的垂直磁存储媒体包括软磁衬垫层(12)、非磁性中间层(13)、通过设置硬磁性超微颗粒(17)形成的记录层(14)、外涂层(15)和滑性层(16)，所有这些层都以上述顺序设置在衬底(11)上，其中该超微颗粒的平均直径的范围在2纳米和10纳米之间，该超微颗粒的直径的标准偏差为超微颗粒的平均直径的10%或更小，超微颗粒的平均间隔在0.2纳米和5纳米之间，并且记录层(14)的易磁化轴垂直于衬底(11)的表面，以使通过该垂直磁存储媒体能够进行高密度记录和再现。
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公开(公告)号：CN1684785A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03823200.6
申请日：2003-08-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: B22F1/00 , B22F9/20 , B22F9/24 , G11B5/706 , G11B5/714 , G11B5/72 , G11B5/842 , H01F1/06 , H01F1/09
CPC classification number: B22F1/0018 , B22F1/0014 , B22F9/24 , B22F9/305 , B22F2998/00 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , G11B5/70615 , G11B5/714 , G11B5/72 , G11B5/738 , G11B5/842 , H01F1/0063 , H01F1/14733 , Y10T428/2982 , B22F2201/10
Abstract: 一种合金纳米微粒的制造方法，其包括：在惰性气体气氛中，向从由碳数目为2～20的烃、醇、醚、酯构成的组中选出的有机溶剂中加入金属盐、还原剂、稳定配位体、以及有机铁络合物，从而得到反应溶液的步骤；和一边搅拌一边将该反应溶液加热至预定温度的步骤。其中，根据稳定配位体的量来控制合金纳米微粒的粒径。
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