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公开(公告)号:CN115991603A
公开(公告)日:2023-04-21
申请号:CN202211483113.2
申请日:2022-11-24
Applicant: 安徽大学绿色产业创新研究院
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/626 , C04B35/645 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供了一种Te/Cr共掺PbSe基热电材料的制备方法,属于能源转换领域。通过改进高温固相反应装置和温度程序以保证反应的稳定进行。利用高温固相反应和快速热压工艺制备得到掺杂一定量Te、Cr的PbSe基热电材料。以Pb粉、Se粉、Cr粉,Te粉为原料,采用高温固相法制备获得Pb1‑xCrxSe1‑yTey材料样品,然后采用快速热压工艺对其进行热压烧结,制得一系列Pb1‑xCrxSe1‑yTey热电材料。本发明制样工艺简单快捷,制备周期短,制备成本低,对设备要求低,所得样品致密度高,可将PbSe的导电类型在整个温度范围内(323 K~823 K)转变为N型热电材料。本发明解决了传统PbSe热电材料热电优值过低的缺点。发明获得的Pb0.97Cr0.03Se0.94Te0.06热电材料在673K时ZT为0.44,是未复合样品PbSe的4.40倍。
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公开(公告)号:CN114804037A
公开(公告)日:2022-07-29
申请号:CN202210456237.5
申请日:2022-04-28
Applicant: 安徽大学
IPC: C01B19/00 , C04B35/01 , C04B35/622 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 本发明公开了一种Pb/In共掺BiCuSeO热电材料及其制备方法,属于能源转换技术领域。采用固相合成,球磨等方法结合热压烧结工艺制备。以Bi2O3,Bi,Cu,Se,Pb,In等粉末作为原料,根据化学式Bi1-x-yPbxInyCuSeO的化学计量比称取原料,研磨均匀,将混合原料真空封装于石英管中,再通过井式炉加热、退火,获得的粉末再通过球磨机进行球磨得到热压所需粉末并在合适的压力和温度下进行热压烧结得到Bi1-x-yPbxInyCuSeO块体热电材料。本发明制备的Bi0.93Pb0.06In0.01CuSeO热电材料的电导率为17700~53900 S/m,塞贝克系数为122~209μV/K,热导率为0.55~0.95 W/mK。采用该方法制备的Bi0.93Pb0.06In0.01CuSeO热电材料具有烧结温度低、重复性好、易于大量合成等优点,解决了传统BiCuSeO电导率低的问题,实现了BiCuSeO基热电材料热电优值显著的提高。
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公开(公告)号:CN116514526A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202310650624.7
申请日:2023-06-04
Applicant: 安徽大学
IPC: C04B35/01 , H10N10/853 , H10N10/01 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种Pb&Sb共掺杂BiCuSeO基热电材料及其制备方法,属于能源转换技术领域。按照Bi0.94‑xPb0.06SbxCuSeO(0≤x≤0.035)的化学计量比称取Bi2O3、Bi、Cu、Se、Pb、Sb粉,在玛瑙研钵中混合均匀,再采用高温烧结、退火的样品制备工艺,获得Pb&Sb共掺杂BiCuSeO基热电材料。用玛瑙研钵将烧结后的材料研磨至粉末状,将粉末装入石墨模具中,在600℃、70 MPa下快速热压30 min,得到Bi0.94‑xPb0.06SbxCuSeO块体热电材料。本发明制备的热电材料降低了Bi0.94Pb0.06CuSeO的热导率,并实现了塞贝克系数的显著提高,从而显著增强了BiCuSeO基材料的热电性能。
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公开(公告)号:CN116634846A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310650223.1
申请日:2023-06-02
Applicant: 安徽大学
IPC: H10N10/852 , H10N10/01 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种Cd&Mn共掺杂SnTe基热电材料及其制备方法,属于能源转换技术领域。按照Sn1.03‑3xCdxMn2xTe(0≤x≤0.05)的化学计量比称取Sn、Te、Cd、Mn粉,在玛瑙研钵中混合均匀,再采用高温淬火、退火的样品制备工艺,获得Sn1.03‑3xCdxMn2xTe的铸锭材料。用玛瑙研钵将铸锭材料研磨至粉末状,将粉末装入石墨模具中,在一定温度和压力下快速热压样品,得到Sn1.03‑3xCdxMn2xTe块体热电材料。本发明制备的热电材料大大降低了SnTe的热导率,并实现了塞贝克系数的显著提高,从而极大增强了SnTe的热电性能。
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