一种CoNi复合硫化物电极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114927357B

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202210648817.4

    申请日:2022-06-09

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种CoNi复合硫化物电极材料及其制备方法,先通过室温搅拌法制备ZIF‑67前驱体溶液,然后采用简单的一步水热法,以钴源、镍源、氟化铵和尿素为原料,以制备好的ZIF‑67溶液为溶剂,以九水合硫化钠作为硫化剂,通过自组装制备了具有细菌棒状结构CoNi硫化物复合材料。所制备的材料在电流密度为0.5 A·g‑1时,比电容能达到1380 F·g‑1;内阻为0.3394Ω,在电化学过程中具有较快的离子扩散速率和超低的电荷转移电阻。本发明操作过程简单,材料成本低,超级电容性能好,用作超级电容器电极材料,具有很好的应用前景。

    一种Yb/Cd共掺杂p型Mg3Sb2热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116568112A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310230798.8

    申请日:2023-03-11

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种Yb/Cd共掺杂p型Mg3Sb2热电材料及其制备方法,属于能源转换技术领域。采用高温真空固相反应结合快速热压烧结工艺,在氩气氛手套箱中按照Mg3‑3xCd2xYbxSb2(0<x≤0.4)的化学计量比称取Mg,Cd,Yb,Sb粉末原料,研磨混合均匀。将混合粉末冷压成块体,随后将其放入氧化铝坩埚中并真空密封于石英管中,再通过井式炉高温固相烧结、降温、研磨产物获得Mg3‑3xCd2xYbxSb2粉末热电材料。最后,将粉末材料在合适的压力和温度下进行真空热压烧结得到Mg3‑3xCd2xYbxSb2块体热电材料。本发明制备的热电材料具有极低的热导率,同时兼具高的功率因子,从而实现了优异的热电优值,在能源转换领域表现出极大的应用潜力。

    一种Pb&Sb共掺杂BiCuSeO基热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116514526A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310650624.7

    申请日:2023-06-04

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种Pb&Sb共掺杂BiCuSeO基热电材料及其制备方法,属于能源转换技术领域。按照Bi0.94‑xPb0.06SbxCuSeO(0≤x≤0.035)的化学计量比称取Bi2O3、Bi、Cu、Se、Pb、Sb粉,在玛瑙研钵中混合均匀,再采用高温烧结、退火的样品制备工艺,获得Pb&Sb共掺杂BiCuSeO基热电材料。用玛瑙研钵将烧结后的材料研磨至粉末状,将粉末装入石墨模具中,在600℃、70 MPa下快速热压30 min,得到Bi0.94‑xPb0.06SbxCuSeO块体热电材料。本发明制备的热电材料降低了Bi0.94Pb0.06CuSeO的热导率,并实现了塞贝克系数的显著提高,从而显著增强了BiCuSeO基材料的热电性能。

    一种CoNi复合硫化物电极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114927357A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210648817.4

    申请日:2022-06-09

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种CoNi复合硫化物电极材料及其制备方法,先通过室温搅拌法制备ZIF‑67前驱体溶液,然后采用简单的一步水热法,以钴源、镍源、氟化铵和尿素为原料,以制备好的ZIF‑67溶液为溶剂,以九水合硫化钠作为硫化剂,通过自组装制备了具有细菌棒状结构CoNi硫化物复合材料。所制备的材料在电流密度为0.5A·g‑1时,比电容能达到1380 F·g‑1;内阻为0.3394Ω,在电化学过程中具有较快的离子扩散速率和超低的电荷转移电阻。本发明操作过程简单,材料成本低,超级电容性能好,用作超级电容器电极材料,具有很好的应用前景。

    一种石墨复合的SnSe2热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN113683062A

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202110977435.1

    申请日:2021-08-24

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种SnSe2纳米片复合膨胀石墨(G)热电材料的制备方法,属于能源转换技术领域。首先采用油相合成方法制备出SnSe2纳米粒子,随后按一定质量比称取适量的SnSe2纳米粒子和膨胀石墨,研磨充分且混合均匀,得到SnSe2‑X wt%G(X为复合G的质量比)前驱体粉末,然后将前驱体粉末在合适的压力和温度下进行退火、热压烧结得到SnSe2‑X wt%G块体热电材料。本发明制备的SnSe2‑X wt%G热电材料的电导率为390~2450 S/m,热导率为0.34~0.55 Wm‑1K‑1。本发明制备热电材料具有烧结温度低,制备周期短,操作简便,对设备要求低等优点,实现了SnSe2基热电材料热电最优值显著提高的制备方法。

    一种Mg氛围退火工艺及N型Mg3Sb2基热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN115537592A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211112117.X

    申请日:2022-09-13

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种Mg氛围退火工艺及N型Mg3Sb2基热电材料的制备方法,属于半导体热电材料制备技术领域。采用Mg氛围退火结合真空固相烧结的方法制备N型Mg3Sb2基热电材料。步骤如下:首先按化学计量比称取单质原料将其研磨混合后冷压成块体,将所得块体放入氧化铝坩埚中并通过封管机抽真空密封于石英管中。通过固相烧结制得Mg3Sb2基热电材料,将所得粉末通过快速热压炉进行热压制成块体。最后将所得块体置于Mg屑包裹环境中进行Mg氛围退火,得到N型Mg3Sb2基热电材料。通过以上工艺制备出结晶性好、物相纯、致密度高的N型Mg3Sb2基块体热电材料。本发明制备方法成本低,工艺操作简便,对设备要求低。制备的Mg3Sb2基热电材料在半导体热电材料制备技术领域具有潜在的应用价值。

    一种Bi2O3复合SnTe热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN114824050A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210209293.9

    申请日:2022-03-04

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种Bi2O3复合SnTe热电材料的制备方法,属于能源转换领域。利用高温固相法、高温退火处理和快速热压工艺制备得到复合一定量Bi2O3‑SnTe的热电材料。首先按化学计量比称取Sn粉、Te粉,采用高温固相法制备SnTe样品,然后充分研磨后得SnTe粉末,再按照一定物质的量比例将Bi2O3与SnTe粉混合均匀,得到混合物粉末,之后进行高温退火处理,最后采用快速热压工艺对其进行热压烧结,制得复合0~2.5%mol Bi2O3‑SnTe热电材料。本发明制样工艺简单快捷,所得样品性质稳定、致密度高。本发明解决了传统SnTe热电材料塞贝克系数低、热导率较高的缺点,在整个测温区间材料的热电优值提高了36.1%。

    一种光甘草定药物中间体的合成方法

    公开(公告)号:CN114315851B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202210000186.5

    申请日:2022-01-03

    Abstract: 本发明公开了一种光甘草定药物中间体的合成方法,属于有机合成领域。以1‑(2,4‑二羟苯基)‑2‑(3,4‑二甲氧基)乙酮为原料,经过羟醛缩合反应、重排反应得到所述光甘草定药物中间体,即带有二氢吡喃环的异黄酮。本发明所述的合成方法,反应条件容易控制,操作更加简单,适合大批量的生产,无需氢气加成,不需要使用贵金属催化剂,成本低,而且从化合物Ⅰ到化合物Ⅳ,经过三步反应,总收率更高,达到60%以上,具有很好的应用前景。

    一种位错增强型BiCuSeO基热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115636668B

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202211457631.7

    申请日:2022-11-21

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种位错增强型BiCuSeO基热电材料及其制备方法,属于新能源转换技术领域。采用真空固相烧结法结合快速热压工艺,以Bi2O3,Bi,Cu,Se,PbO粉末作为原料,按照Bi1‑yPbyCu1‑zSe1+xO1‑x(0.01≤x≤0.05,0≤y≤0.06,0≤z≤0.05)化学计量比称取原料,研磨充分且混合均匀。将混合原料真空封装于石英管中,再通过井式炉高温固相烧结、降温、研磨产物获得Bi1‑yPbyCu1‑zSe1+xO1‑x粉末热电材料,将粉末材料在合适的压力和温度下进行热压烧结得到Bi1‑yPbyCu1‑zSe1+xO1‑x块体热电材料。本发明制备的热电材料在引入Se@O自掺杂后,生成高密度位错结构,热导率得到大幅降低。同时,Pb掺杂和Cu空位使得电导率得到显著提升,并维持高的塞贝克系数,从而表现出良好的热电性能。本发明也为氧化物热电体系的位错设计和构筑提供了良好的启发。

Patent Agency Ranking