公开(公告)号：CN110941185B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201911326403.4

申请日：2019-12-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  姚远 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  卢文娟 ,  黎轩 ,  陈军宁

IPC: G05B13/04

Abstract: 本发明公开了一种用于二值神经网络的双字线6TSRAM单元电路，其中：PMOS晶体管M1和M2为预充电管，M1和M2的源极共同接到电源Vdd，M1的漏级接在位线BLB上，M2的漏级接在位线BL上；且M1和M2的栅极共同连接到控制端sw2；PMOS晶体管M3为一列6TSRAM单元阵列共用的平衡电压管，M3的源级、漏级分别与位线BLB、BL相连接，用于平衡两条位线BL和BLB上面的电压；且M3的栅极连接到控制端sw1；电容C0和C1为位线BLB和BL上的寄生电容。该电路结构减少了面积和功耗，改善了线性度，同时将模拟域的运算与数字域的运算相结合，减少了模拟域的计算量与电路的复杂性。

公开(公告)号：CN110941185A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201911326403.4

申请日：2019-12-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  姚远 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  卢文娟 ,  黎轩 ,  陈军宁

IPC: G05B13/04

Abstract: 本发明公开了一种用于二值神经网络的双字线6TSRAM单元电路，其中：PMOS晶体管M1和M2为预充电管，M1和M2的源极共同接到电源Vdd，M1的漏级接在位线BLB上，M2的漏级接在位线BL上；且M1和M2的栅极共同连接到控制端sw2；PMOS晶体管M3为一列6TSRAM单元阵列共用的平衡电压管，M3的源级、漏级分别与位线BLB、BL相连接，用于平衡两条位线BL和BLB上面的电压；且M3的栅极连接到控制端sw1；电容C0和C1为位线BLB和BL上的寄生电容。该电路结构减少了面积和功耗，改善了线性度，同时将模拟域的运算与数字域的运算相结合，减少了模拟域的计算量与电路的复杂性。