公开(公告)号：CN110232941B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201910549755.X

申请日：2019-06-24

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  刘东 ,  蔺智挺 ,  卢文娟 ,  吴秀龙 ,  黎轩 ,  陈军宁

IPC: G11C11/419 ,  G11C11/412

Abstract: 本发明公开了一种具有低功耗和写增强的混合10T TFET‑MOSFET SRAM单元电路，使用双向导通的NMOSFET代替TFET作SRAM单元的访问管。其利用MOSFET双向导通的特点以及TFET比MOSFET具有更低的阈值电压、更小的泄漏电流、更低的关断电流和更高的开关电流比等优势，减小了TFET SRAM静态功耗，同时也降低了保持状态下的单元泄漏电流；利用读写分离将存储节点与读取路径分开，从而提高了读取稳定性；从单元写速度的仿真结果来看，单元的工作电压越低，写速度越快；在相同的工作电压下如0.4V到0.9V，其静态功耗与6T TFET SRAM单元结构相比，至少降低2个数量级，而且提高了TFET SRAM单元的写裕度，降低了单元的静态功耗，提高了单元的写能力和写速度。

公开(公告)号：CN110232941A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910549755.X

申请日：2019-06-24

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  刘东 ,  蔺智挺 ,  卢文娟 ,  吴秀龙 ,  黎轩 ,  陈军宁

IPC: G11C11/419 ,  G11C11/412

Abstract: 本发明公开了一种具有低功耗和写增强的混合10T TFET-MOSFET SRAM单元电路，使用双向导通的NMOSFET代替TFET作SRAM单元的访问管。其利用MOSFET双向导通的特点以及TFET比MOSFET具有更低的阈值电压、更小的泄漏电流、更低的关断电流和更高的开关电流比等优势，减小了TFET SRAM静态功耗，同时也降低了保持状态下的单元泄漏电流；利用读写分离将存储节点与读取路径分开，从而提高了读取稳定性；从单元写速度的仿真结果来看，单元的工作电压越低，写速度越快；在相同的工作电压下如0.4V到0.9V，其静态功耗与6T TFET SRAM单元结构相比，至少降低2个数量级，而且提高了TFET SRAM单元的写裕度，降低了单元的静态功耗，提高了单元的写能力和写速度。

公开(公告)号：CN209880162U

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201920971282.8

申请日：2019-06-24

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  刘东 ,  蔺智挺 ,  卢文娟 ,  吴秀龙 ,  黎轩 ,  陈军宁

IPC: G11C11/419 ,  G11C11/412

Abstract: 本实用新型公开了一种具有低功耗和写增强的混合10T TFET-MOSFET SRAM单元电路，使用双向导通的NMOSFET代替TFET作SRAM单元的访问管。其利用MOSFET双向导通的特点以及TFET比MOSFET具有更低的阈值电压、更小的泄漏电流、更低的关断电流和更高的开关电流比等优势，减小了TFET SRAM静态功耗，同时也降低了保持状态下的单元泄漏电流；利用读写分离将存储节点与读取路径分开，从而提高了读取稳定性；从单元写速度的仿真结果来看，单元的工作电压越低，写速度越快；在相同的工作电压下如0.4V到0.9V，其静态功耗与6T TFET SRAM单元结构相比，至少降低2个数量级，而且提高了TFET SRAM单元的写裕度，降低了单元的静态功耗，提高了单元的写能力和写速度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利