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公开(公告)号：CN118758194A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411249912.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延层厚度测量技术领域，具体提供了一种高精度傅里叶变换红外光谱仪及外延层厚度测量方法，该光谱仪包括：探测头；样品台；驱动机构；反射镜；控制器，用于获取样品信号集，还用于在每次获取样品信号集前和/或每次完成样品信号集的获取后，控制驱动机构驱动样品台旋转和/或水平移动，以将反射镜移动至探测头下方，并通过探测头获取背景信号，还用于根据预设的转换关系、样品信号集和对应的背景信号获取同一待测量外延片上的各个测量点位对应的外延层厚度；该光谱仪能够有效地解决由于预先获取的背景信号与每次测量外延层厚度的过程中实际的背景信号存在较大的偏差而导致外延层厚度的测量精度低的问题和提高外延层厚度的测量效率。
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公开(公告)号：CN118447964A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410609992.1
申请日：2024-05-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种工艺参数寻优方法、外延生长方法及相关设备，涉及外延生长领域，其中工艺参数寻优方法包括：在预设范围内随机生成多个工艺参数组；基于预先建立好的仿真模型根据多个工艺参数组进行模拟实验，输出各工艺参数组对应的模拟生长结果参数；基于蚁群算法根据神经网络模型、工艺参数组以及神经网络模型生成的生长结果参数进行寻优以获取最优工艺参数组。本申请的工艺参数寻优方法能解决在获取使外延薄膜均匀性及生长速率达到最优的工艺参数时进行大量外延生长实验，导致实验成本和人工成本高并且材料生长时间长的问题，从而能达到节省实验成本，缩短生长结果参数获取时间以及准确获取最优工艺参数组的效果。
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公开(公告)号：CN114808068B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210191513.X
申请日：2022-03-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种石墨腔内表面处理方法、石墨腔薄板及石墨腔，本申请提出的石墨腔内表面处理方法，用于处理石墨腔内表面的石墨薄板，包括以下步骤：将所述石墨薄板作为阴极，Nb金属板作为阳极放入盛有NaCl‑NbCl5混合材料的电解槽中；在惰性气体氛围下将NaCl‑NbCl5混合材料加热至900℃得到NaCl‑NbCl5熔融电解液，并向阳极和阴极加入5V的工作电压，直至所述石墨薄板表面生成NbC层，本申请简化了石墨腔内表面的处理工艺，降低了处理成本，同时有效减少了杂质结晶的生成，并防止结晶滴落在衬底上，提高了衬底的良率。
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公开(公告)号：CN115627531A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211399678.2
申请日：2022-11-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种外延设备的气浮传输系统、方法及外延设备，其中，系统包括：传输底座，具有朝上设置的气浮通道，气浮通道具有阵列设置多个气浮管组；托盘，用于承托衬底，放置在传输底座上；传输底座包括固定在外延设备的反应腔中的第一气浮底座及固定在反应腔外的第二气浮底座；位置检测组件，用于获取托盘的位置信息；多个进出气组件，分别与每个气浮管组连接，用于朝向气浮管组送气或吸气；控制器，与位置检测组件及进出气组件电性连接；控制器用于根据位置信息控制不同进出气组件进气或吸气以驱动托盘在气浮通道上位移；该系统解决了反应腔高温环境影响传输机械臂及其上夹具的使用寿命的问题。
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公开(公告)号：CN114959889A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210748988.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种反应腔的温度补偿装置、系统及方法，所述外延设备包括所述反应腔和感应线圈，所述感应线圈螺旋设置在所述反应腔外，所述反应腔的外形为圆柱形，所述反应腔的温度补偿装置包括：温度补偿线圈，设置在所述反应腔外；水平驱动组件，与所述温度补偿线圈连接，用于驱动所述温度补偿线圈沿平行于所述反应腔的轴心线的方向位移；旋转组件，与所述水平驱动组件连接，用于驱动所述水平驱动组件旋转；该装置能够对温场分布不均匀对应的局部位置进行补偿加热，以使反应腔内的温场分布均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068308A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210047359.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/02 , H01L29/165
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN118758194B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411249912.2
申请日：2024-09-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延层厚度测量技术领域，具体提供了一种高精度傅里叶变换红外光谱仪及外延层厚度测量方法，该光谱仪包括：探测头；样品台；驱动机构；反射镜；控制器，用于获取样品信号集，还用于在每次获取样品信号集前和/或每次完成样品信号集的获取后，控制驱动机构驱动样品台旋转和/或水平移动，以将反射镜移动至探测头下方，并通过探测头获取背景信号，还用于根据预设的转换关系、样品信号集和对应的背景信号获取同一待测量外延片上的各个测量点位对应的外延层厚度；该光谱仪能够有效地解决由于预先获取的背景信号与每次测量外延层厚度的过程中实际的背景信号存在较大的偏差而导致外延层厚度的测量精度低的问题和提高外延层厚度的测量效率。
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公开(公告)号：CN114990691B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210794117.6
申请日：2022-07-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延反应加热控制方法、系统、电子设备及存储介质，外延反应加热控制方法用于外延反应设备，包括以下步骤：输出最大加热功率信息以使外延反应设备的外延腔迅速升温至预设的第一温度信息；根据第一温度信息、预设的第二温度信息以及第二温度信息对应的起始加热功率信息生成加热功率曲线；根据加热功率曲线调节并输出加热功率信息以使外延腔逐渐升温，直至加热功率信息下降至起始加热功率信息；对外延腔进行PID控制加热使外延腔升温至预设的外延反应温度信息所对应的温度，本申请通过上述方法使外延腔在加热过程中不会因为加热功率突变而导致温度产生波动，从而提高加热效率及加热稳定性。
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公开(公告)号：CN116190217A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310419902.8
申请日：2023-04-19
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/205 , C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/36
Abstract: 本发明公开了一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，属于半导体加工领域，步骤包括，以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层；保持硅源流量不变，使碳源流量按关于时间的S型曲线增大达到第二碳源流量，期间形成碳硅比过渡层；以第一硅源流量和第二碳源流量生长低速高碳硅比缓冲层；从第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从第二碳源流量增大过渡至第三碳源流量，期间保持碳硅比不变，形成源流量过渡层；以第二硅源流量和第三碳源流量生长出高速外延层。该方法将碳硅比变化过程和生长速率变化过程分离，并且使碳硅比变化过程的起点和终点附近平滑过渡，有利于减少三角形缺陷。
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公开(公告)号：CN116043184A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310111885.1
申请日：2023-02-14
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备，其包括：反应室，其室内设有反应腔和位于反应腔上的旋转片盒放置槽，旋转片盒放置槽的底部设有与反应腔连通的第一开口；设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口，多个出气口沿第一开口中心圆周分布；旋转片盒，用于承托硅片，放置在旋转片盒放置槽内，旋转片盒底面设有正对于第一开口的第二开口，旋转片盒底面设有位于出气口上方的圆槽和圆周阵列在圆槽外周并与圆槽连通的多个倾斜槽；该装置能够避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
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