公开(公告)号：CN117577413A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311381679.9

申请日：2023-10-23

Applicant: 季华实验室

Inventor： 徐秀兰 ,  杨欣燕 ,  于广华

IPC: H01F10/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C14/35 ,  C22C30/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y25/00 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  H01F10/16 ,  H01F41/18

Abstract: 本发明涉及磁性材料技术领域。本发明提供了一种AlNiCo磁性薄膜材料及其制备方法和应用。本发明采用引入W层，通过控制W元素在AlNiCo薄膜的扩散，进而对AlNiCo薄膜的矫顽力进行有效地调控，同时剩磁依然保持较高的水平。W层的引入在薄膜中形成Fe2W硬磁的形成、Ni3Al非磁相的钉扎协同作用，使得薄膜的矫顽力由未引入W层时的173Oe，提升为引入W层之后的508Oe，矫顽力提升了近达300％，而剩磁依然保持在高达9900Oe。本发明的AlNiCo磁性薄膜材料，通过引入W层，使得AlNiCo薄膜满足高精度磁编码器码盘材料对高矫顽力和高剩磁的应用需求。