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公开(公告)号：CN104975260B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510474064.X
申请日：2015-08-05
Applicant: 大连大学
Abstract: 本发明提供了一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法，该方法为：选取多晶硅粉末及磷粉末为原料，石墨片为蒸发源，k9玻璃片为基板，将原料、蒸发源和前处理后的基板放置于真空镀膜机中蒸镀，设定基板与原料间距离为130～150cm，基板温度100～300℃；将蒸镀后所得到的样品放入真空退火炉中在550℃温度下退火2h，用铝标准腐蚀液对所得样品进行表面腐蚀，得到多晶硅薄膜。本发明的多晶硅薄膜平整度高、晶粒尺寸均匀性好、晶化率高可达94.95％，本发明所需原料价格低廉、储量丰富，制备的合金薄膜力学性能好、制备工艺简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN104975260A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510474064.X
申请日：2015-08-05
Applicant: 大连大学
Abstract: 本发明提供了一种高晶化率多晶硅薄膜的制备方法，该方法为：选取多晶硅粉末及磷粉末为原料，石墨片为蒸发源，k9玻璃片为基板，将原料、蒸发源和前处理后的基板放置于真空镀膜机中蒸镀，设定基板与原料间距离为130～150cm，基板温度100～300℃；将蒸镀后所得到的样品放入真空退火炉中在550℃温度下退火2h，用铝标准腐蚀液对所得样品进行表面腐蚀，得到多晶硅薄膜。本发明的多晶硅薄膜平整度高、晶粒尺寸均匀性好、晶化率高可达94.95％，本发明所需原料价格低廉、储量丰富，制备的合金薄膜力学性能好、制备工艺简单，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN104911541B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510353648.1
申请日：2015-06-24
Applicant: 大连大学
Abstract: 本发明提供了一种磷掺杂多晶硅薄膜及其制备方法，属于功能材料领域。通过将多晶硅粉末与磷粉末按比例混合均匀，压片、真空烧结制得硅靶材，将硅靶材和石英玻璃基片放入真空系统中，采用激光溅射沉积的方法制备出磷掺杂多晶硅薄膜。本发明获得的磷掺杂多晶硅薄膜，其横向应变系数绝对值的最大值可达24.3；横向应变系数的非线性在1‑2.5％之间，比现有的多晶硅薄膜降低了0.5％；采用本发明方法可以使多晶硅薄膜掺杂均匀、平整度高、致密性好且控制晶粒尺寸范围为0.1μm～0.5μm；本发明制备方法简单、成本低、可控性强，为多晶硅薄膜领域拓展了新思路。
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公开(公告)号：CN105624656A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511024375.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 大连大学
CPC classification number: C23C18/36 , C23C18/1637 , C23C18/1651 , C23C18/1662 , C23C18/50
Abstract: 本发明公开一种化学镀Ni-P/Ni-Mo-P-PTFE复合结构镀层及其制备方法，属于功能镀层技术领域。该复合结构镀层从表面到金属基材依次为：Ni-Mo-P-PTFE镀层、Ni-P镀层，该复合结构镀层的制备方法包括以下步骤：将金属基材进行除油、酸洗、活化处理；在金属基材表面化学镀Ni-P镀层作为诱导层；在Ni-P镀层上化学镀Ni-Mo-P-PTFE镀层；清洗、烘干；采用本发明方法制备的Ni-P/Ni-Mo-P-PTFE复合结构镀层，通过调整镀层的微观结构，进而改善其物理、化学性能，可显著增强管道的抗腐蚀、防结垢性能。
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公开(公告)号：CN104790032A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510117521.X
申请日：2015-03-16
Applicant: 大连大学
Abstract: 本发明涉及激光脉冲溅射沉积制备多晶硅薄膜的方法，具体包括以下步骤：将基板进行前处理；将镀膜材料硅靶材与基板放入真空系统中，抽真空至1.0×10-4Pa，基板温度为500～700℃，基板与硅靶材之间的距离为3～8cm；然后用准分子激光器做为激光源发射激光，频率为2～5HZ，溅射2～4h；最后经过600～1000℃退火2～4h，制备出多晶硅薄膜；所述的基板为铜片或石英玻璃。本发明制备的多晶硅薄膜晶粒细小且大小分布均匀，具有很好的平整性以及致密性，具有更好的晶化程度，并且几乎没有杂质原子，并能在多种基体上制备出晶粒细小，工艺简单，重复性好，成本低，适合工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105506589B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201511020668.3
申请日：2015-12-30
Applicant: 大连大学
Abstract: 本发明公开一种化学镀Ni‑P/Ni‑Mo‑P复合结构镀层及其制备方法，属于功能镀层技术领域。该复合结构镀层从表面到金属基材依次为：Ni‑Mo‑P镀层、Ni‑P镀层，该复合结构镀层的制备方法包括以下步骤：将金属基材进行除油、除锈、抛光处理；在金属基材表面化学镀Ni‑P镀层作为诱导层；在Ni‑P镀层上化学镀Ni‑Mo‑P镀层；清洗、烘干；采用本发明方法制备的Ni‑P/Ni‑Mo‑P复合结构镀层，通过调整镀层的微观结构，进而改善其物理、化学性能，可显著增强管道的抗腐蚀、防结垢性能。
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公开(公告)号：CN105624656B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201511024375.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 大连大学
Abstract: 本发明公开一种化学镀Ni‑P/Ni‑Mo‑P‑PTFE复合结构镀层及其制备方法，属于功能镀层技术领域。该复合结构镀层从表面到金属基材依次为：Ni‑Mo‑P‑PTFE镀层、Ni‑P镀层，该复合结构镀层的制备方法包括以下步骤：将金属基材进行除油、酸洗、活化处理；在金属基材表面化学镀Ni‑P镀层作为诱导层；在Ni‑P镀层上化学镀Ni‑Mo‑P‑PTFE镀层；清洗、烘干；采用本发明方法制备的Ni‑P/Ni‑Mo‑P‑PTFE复合结构镀层，通过调整镀层的微观结构，进而改善其物理、化学性能，可显著增强管道的抗腐蚀、防结垢性能。
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公开(公告)号：CN105506589A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201511020668.3
申请日：2015-12-30
Applicant: 大连大学
CPC classification number: C23C18/1651 , C23C18/36 , C23C18/50
Abstract: 本发明公开一种化学镀Ni-P/Ni-Mo-P复合结构镀层及其制备方法，属于功能镀层技术领域。该复合结构镀层从表面到金属基材依次为：Ni-Mo-P镀层、Ni-P镀层，该复合结构镀层的制备方法包括以下步骤：将金属基材进行除油、除锈、抛光处理；在金属基材表面化学镀Ni-P镀层作为诱导层；在Ni-P镀层上化学镀Ni-Mo-P镀层；清洗、烘干；采用本发明方法制备的Ni-P/Ni-Mo-P复合结构镀层，通过调整镀层的微观结构，进而改善其物理、化学性能，可显著增强管道的抗腐蚀、防结垢性能。
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公开(公告)号：CN105140105A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510477028.9
申请日：2015-08-05
Applicant: 大连大学
CPC classification number: H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0257 , H01L21/02631 , H01L21/02694 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供了一种高压阻特性硼掺杂多晶硅薄膜的制备方法，该方法为：选取硅靶材和硼靶材，将硅靶材、硼靶材和处理后的基板放入真空系统中，抽真空至1.0×10-4Pa，基板温度为600～700℃，基板与靶材间距离为3～5cm；用激光器发射激光，控制频率为1～4Hz，溅射1～3小时；最后将薄膜在800～900℃下退火1～3h，得硼掺杂多晶硅薄膜。本发明的制备方法可以有效控制多晶硅薄膜的厚度以及硼掺杂浓度，工艺简单，重复性好，成本低廉，制得的薄膜致密性好，具有优异的压阻特性和高温稳定性；电阻的温度系数小，应变系数大，为多晶硅压力传感器的发展提供了新思路。
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公开(公告)号：CN104911541A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510353648.1
申请日：2015-06-24
Applicant: 大连大学
Abstract: 本发明提供了一种磷掺杂多晶硅薄膜及其制备方法，属于功能材料领域。通过将多晶硅粉末与磷粉末按比例混合均匀，压片、真空烧结制得硅靶材，将硅靶材和石英玻璃基片放入真空系统中，采用激光溅射沉积的方法制备出磷掺杂多晶硅薄膜。本发明获得的磷掺杂多晶硅薄膜，其横向应变系数绝对值的最大值可达24.3；横向应变系数的非线性在1-2.5％之间，比现有的多晶硅薄膜降低了0.5％；采用本发明方法可以使多晶硅薄膜掺杂均匀、平整度高、致密性好且控制晶粒尺寸范围为0.1μm～0.5μm；本发明制备方法简单、成本低、可控性强，为多晶硅薄膜领域拓展了新思路。
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