公开(公告)号：CN117712120A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311676275.2

申请日：2023-12-07

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 孙博韬 ,  张清纯 ,  雷光寅

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明公开了一种用于SiC MOSFET的过渡区设计；其在栅极电位在芯片内部过渡区的位置设置了电位缓冲结构，电位缓冲结构采用包括不同温度系数的半导体电阻R1和电阻R2的串联分压结构。其中，电阻R1和电阻R2之和对应外部栅极电位，而之中R2电阻对应分压连接至有源区内部，形成内部栅极电位。外接接栅极电位在芯片内部不同的温度下具有不同的分压比，使得器件在极高温时具有较低的内部栅极电位，对有源区内部芯片实现短路保护。同时将其与SiC过渡区及栅走线区进行兼容设计，在不牺牲器件主要参数的前提下，提供了对芯片短路和静电放电ESD的保护能力。

公开(公告)号：CN119545851A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411720930.4

申请日：2024-11-27

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 孙博韬 ,  左元慧 ,  张俊然 ,  雷光寅 ,  张清纯

IPC: H10D30/62 ,  H10D64/27 ,  H10D30/01

Abstract: 本申请提供了一种具有辅沟槽栅极的半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：外延层，具有相对的第一表面和第二表面；位于所述第一表面内的多个主沟槽栅极，所述主沟槽栅极在第一方向依次间隔设置；相邻两个所述主沟槽栅极之间的所述第一表面内，具有多个依次排布的辅沟槽栅极；所述辅沟槽栅极的深度小于所述主沟槽栅极的深度。在相邻的主沟槽栅极之间设置辅沟槽栅极，提高了沟道的密度的同时，降低了相邻两个沟槽栅极之间的距离加强对沟槽栅极的控制，提高了等效载流子迁移率以及反型载流子浓度，进而降低了沟道电阻。

公开(公告)号：CN119486194A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411718788.X

申请日：2024-11-27

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 孙博韬 ,  张俊然 ,  左元慧 ,  张清纯 ,  雷光寅

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D64/27

Abstract: 本申请提供了一种具有周期性变化沟槽栅极的半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述第一表面内的多个沟槽栅极，所述沟槽栅极在第一方向依次间隔设置，相邻所述沟槽栅极之间的所述第一表面内具有源区；位于所述第一表面上的源极，所述源极与所述源区电连接，且与所述沟槽栅极之间绝缘；其中，在第二方向上，所述沟槽栅极包括依次交替设置的第一区域和第二区域，所述第一区域的深度大于所述第二区域的深度；所述第一方向与所述第二方向均平行于所述第一表面，且二者垂直；所述第二方向为所述沟槽栅极的延伸方向。

公开(公告)号：CN117727784A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311669879.4

申请日：2023-12-04

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 孙博韬 ,  张清纯 ,  雷光寅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种具有自适应浮动电位的SiC沟槽结构；沟槽内分割为上下两个电极：上电极接栅极电位，下电极接生成的内部电位；两个电极中间使用厚氧化层间隔，两个电极共同的外部，即沟槽的侧壁及底部则为薄氧化层；本发明还包含生成内部电位的生成结构，包括漏极电位的读取部分和电位比较部分，漏极电位的读取部分随着漏压的变化生成一个低于漏压但高于源极电位的电压，电位比较部分比较计算漏极电位的读取部分生成的电压与栅极电位，随着生成的电压与栅极电位的动态变化过程，使下电极的电位跟随高电位。本发明的沟槽结构避免了传统SiC沟槽MOSFET结构的槽底保护引入的JFET效应，并引入积累效应，从而降低了器件的导通电阻。