公开(公告)号：CN110491943B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201910706223.2

申请日：2019-08-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  柴晓杰 ,  胡校兵 ,  江钧 ,  连建伟 ,  蒋旭

IPC: H01L29/78 ,  G11C11/22 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明涉及一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法，所述场效应晶体管包括基底、源电极、漏电极、栅电极、铁电凸块和衬底，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述栅电极设置于铁电凸块的上方，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成，所述基底与铁电凸块的电畴极化方向均与栅电极平面法线方向存在夹角不为0并且使所述电畴在源漏电极的连线方向上有分量。与现有技术相比，本发明具有能够实现亚阈值摆幅接近为零，并大幅度降低系统的静态功耗等优点。

公开(公告)号：CN112310214A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910701759.5

申请日：2019-07-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  柴晓杰 ,  江钧 ,  连建伟 ,  敖孟寒

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/11502 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种非易失性铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器包括铁电存储层、第一电极和第二电极，所述铁电存储层中的电畴的极化方向基本不平行所述铁电存储层的法线方向；所述第一电极和第二电极结构相同，均包括在所述铁电存储层的表层中构图形成的埋入式导电层以及形成在所述埋入式导电层上的电极层；在所述第一电极和第二电极之间施加在某一方向上的写信号时使能位于一对埋入式导电层之间的部分铁电存储层的电畴反转，以至于能够建立连接第一电极和第二电极的畴壁导电通道。与现有技术相比，本发明能够避免刻蚀过程容易对铁电材料产生的破坏，提高铁电存储器的存储性能，在数据保持性能、开态读电流等方面表现优异。

公开(公告)号：CN112310214B

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201910701759.5

申请日：2019-07-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  柴晓杰 ,  江钧 ,  连建伟 ,  敖孟寒

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/11502 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种非易失性铁电存储器及其制备方法，所述铁电存储器包括铁电存储层、第一电极和第二电极，所述铁电存储层中的电畴的极化方向基本不平行所述铁电存储层的法线方向；所述第一电极和第二电极结构相同，均包括在所述铁电存储层的表层中构图形成的埋入式导电层以及形成在所述埋入式导电层上的电极层；在所述第一电极和第二电极之间施加在某一方向上的写信号时使能位于一对埋入式导电层之间的部分铁电存储层的电畴反转，以至于能够建立连接第一电极和第二电极的畴壁导电通道。与现有技术相比，本发明能够避免刻蚀过程容易对铁电材料产生的破坏，提高铁电存储器的存储性能，在数据保持性能、开态读电流等方面表现优异。

公开(公告)号：CN110491943A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910706223.2

申请日：2019-08-01

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江安全 ,  柴晓杰 ,  胡校兵 ,  江钧 ,  连建伟 ,  蒋旭

IPC: H01L29/78 ,  G11C11/22 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明涉及一种可擦除全铁电场效应晶体管及其操作方法，所述场效应晶体管包括基底、源电极、漏电极、栅电极、铁电凸块和衬底，所述源电极和漏电极通过铁电凸块相隔离地设置于基底上，栅电极和源电极、漏电极隔离设置，所述栅电极设置于铁电凸块的上方，所述基底由具有畴壁导电特性的铁电材料制成，所述基底与铁电凸块的电畴极化方向均与栅电极平面法线方向存在夹角不为0并且使所述电畴在源漏电极的连线方向上有分量。与现有技术相比，本发明具有能够实现亚阈值摆幅接近为零，并大幅度降低系统的静态功耗等优点。