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公开(公告)号：CN1474456A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03141498.2
申请日：2003-07-10
Applicant: 复旦大学
Inventor： 林殷茵 , 谢宇涵 , 汤庭鳌
IPC: H01L27/10 , G11C11/22 , G11C14/00
Abstract: 本发明为一种非破坏性铁电不挥发多态数据存储方式及其储存单元。它根据MFIS单管单元的铁电特性，利用铁电薄膜剩余极化强度处于饱和、非饱和的多种状态，在一个单元中存储多位数据，从而增加存储信息，并为发展大容量的铁电不挥发存储器提供了基础。
公开(公告)号：CN1245761C
公开(公告)日：2006-03-15
公开(公告)号：CN1253940C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN03115373.9
申请日：2003-02-13
Inventor： 林殷茵 , 汤庭鳌 , 谢宇涵
IPC: H01L27/00 , G11C11/22
Abstract: 本发明涉及一种铁电单管锁存结构以及利用该锁存结构实现的嵌入非易失性逻辑集成电路。铁电单管锁存结构由铁电单管单元、传输门、电阻、倒相器、逻辑门等数字电路基本单元相结合构成，具有锁存数字电路的逻辑状态的功能。将其嵌入大规模集成电路中，可实现整个芯片的逻辑非易失性。
公开(公告)号：CN1447430A
公开(公告)日：2003-10-08
Abstract: 本发明涉及一种铁电单管锁存结构以及利用该锁存结构实现的嵌入不挥发逻辑集成电路。铁电单管锁存结构由铁电单管单元、传输门、电阻、倒相器、逻辑门等数字电路基本单元相结合构成，具有锁存数字电路的逻辑状态的功能。将其嵌入大规模集成电路中，可实现整个芯片的逻辑不挥发。
