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公开(公告)号：CN114242792B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202111540190.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于体硅的柱状型半导体场效应正反馈晶体管。本发明的场效应正反馈晶体管，其阴阳极为反型重掺杂，即一方为p+型而另一方为n+型掺杂，中间是硅的沟道为本征/弱型掺杂，外面被栅氧化层和栅极一层一层包裹住构成一个环栅结构；从而得到垂直结构的沟道以及栅氧化层。与传统的场效应正反馈器件如Z2‑FET相比，本发明将平面型栅氧化层更改为垂直柱状型结构，增大栅氧化层电容，延长数据存储时间提升可靠性；与普通的体硅CMOS工艺和器件结构兼容；引入关键的垂直型栅氧化层结构，其类环栅的金属栅极可以四面八方控制中间沟道，抑制了短沟道效应，可应用于高性能动态存储器DRAM。
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公开(公告)号：CN116634764A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310564446.6
申请日：2023-05-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法。本发明存储器件由基于硅衬底的读晶体管与二维材料写晶体管在垂直方向上堆叠而成；其中，通过绝缘层与写晶体管的栅氧化层刻蚀形成上下晶体管互连通道，使写晶体管源/漏极金属与读晶体管栅极金属相连；下方的读晶体管具有与MOSFET的对称物理结构，在栅极以及侧墙的掩蔽作用下，通过与MOSFET的自对准离子注入工艺在沟道上形成掺杂和阴极/阳极掺杂区域。本发明器件具有优异的电学性能，结构紧凑，工艺与传统CMOS兼容，且解决了传统硅基器件漏电过高的问题，可应用于4F2高性能高带宽的3D存储应用领域。
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公开(公告)号：CN118485102A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202310104854.3
申请日：2023-02-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供一种基于多门控混合专家网络的金融连续变量编码方法，在该方法中，混合专家网络通过使用多个专家网络为输入的连续数值分别学习多个编码向量表示，所有连续变量的数值共享这些专家网络，因此混合专家网络能够基于所有变量的全局信息来学习不同连续变量的共性和差异性。而门控模块能够为每类连续变量学习单独的偏好矩阵，表示对应专家网络的权重，通过加权求和得到输入数值最终的编码向量。门控模块基于每类变量的特点，即局部信息，实现了不同类变量使用不同的专家组合进行学习，在学习方式上更加灵活。因此，本发明能够与深度学习预测模型实现端到端优化，同时能够结合更多信息学习到变量之间更加复杂的关系，有效提升模型的预测效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242792A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111540190.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于体硅的柱状型半导体场效应正反馈晶体管。本发明的场效应正反馈晶体管，其阴阳极为反型重掺杂，即一方为p+型而另一方为n+型掺杂，中间是硅的沟道为本征/弱型掺杂，外面被栅氧化层和栅极一层一层包裹住构成一个环栅结构；从而得到垂直结构的沟道以及栅氧化层。与传统的场效应正反馈器件如Z2‑FET相比，本发明将平面型栅氧化层更改为垂直柱状型结构，增大栅氧化层电容，延长数据存储时间提升可靠性；与普通的体硅CMOS工艺和器件结构兼容；引入关键的垂直型栅氧化层结构，其类环栅的金属栅极可以四面八方控制中间沟道，抑制了短沟道效应，可应用于高性能动态存储器DRAM。
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公开(公告)号：CN111477685B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010339710.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/36 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体衬底的凹槽型场效应正反馈晶体管及制备方法，该正反馈晶体管通过凹槽型栅氧化层结构以改进平面栅氧化层正反馈晶体管的缺陷，通过引入关键的沟道区域掺杂以及与沟道区域掺杂反型的衬底掺杂和低漏掺杂区域，形成正反馈机理所需的特殊能带结构，从而达到与普通正反馈晶体管相似的电学性能与功能；此外，该正反馈晶体管具有与MOSFET相似的对称物理结构，在正栅极和栅极侧墙的掩蔽作用下，可通过与MOSFET类似的自对准离子注入工艺在沟道区域上形成低漏掺杂区域和阴极区域/阳极区域掺杂；本发明的正反馈晶体管制备工艺与传统的CMOS兼容，增加了栅氧化层电容，使电荷保留时间上升，延长了数据存储时间，提升了该器件作为存储器的性能。
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公开(公告)号：CN116744675A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310564445.1
申请日：2023-05-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于MoS2‑Si异质集成的叠层2T1C动态随机存储器件及其制备方法。本发明动态随机存储器件，其下层为建立在绝缘层上硅衬底上的NMOS，作为读晶体管工作，上层为MoS2‑MOSFET，作为写晶体管工作；两个晶体管的源极金属以及两者间的介质层共同构成MIM电容，同时MoS2‑FET的源极金属直接与SOI‑FET的栅极金属连接。本发明将硅基2T1C‑DRAM的写晶体管用MoS2‑FET替代，并使其垂直堆叠在读晶体管上，形成叠层结构，减小了存储单元面积；由于MoS2的禁带宽度更大，写晶体管闭电流减小，存储单元的数据存储时间提高。本发明存储器件集成度高、存储时间长、功耗低，可应用于高性能动态存储器领域。
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公开(公告)号：CN114937636A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210346826.8
申请日：2022-03-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种三维互补场效应晶体管及其制备方法。本发明将两种不同极性的场效应晶体管进行三维堆叠，通过同一个共栅极同时控制两个晶体管的导通状态，经互连金属连接两个晶体管的漏电极端，构建成三维互补场效应晶体管；制备步骤包括：在SOI顶层硅上形成有源区硅；在有源区硅上形成源漏接触金属；沉积一下介质层；形成共栅极；沉积一上介质层；在上介质层上形成二维半导体材料；在二维半导体材料上形成源漏接触金属；进行互连通孔的光刻、刻蚀和金属淀积，形成互连金属。本发明提供的三维互补场效应晶体管，能够提高集成电路单位集成密度，在工艺上易于实现，在逻辑电路、光电集成系统中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111477685A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010339710.2
申请日：2020-04-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/36 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体衬底的凹槽型场效应正反馈晶体管及制备方法，该正反馈晶体管通过凹槽型栅氧化层结构以改进平面栅氧化层正反馈晶体管的缺陷，通过引入关键的沟道区域掺杂以及与沟道区域掺杂反型的衬底掺杂和低漏掺杂区域，形成正反馈机理所需的特殊能带结构，从而达到与普通正反馈晶体管相似的电学性能与功能；此外，该正反馈晶体管具有与MOSFET相似的对称物理结构，在正栅极和栅极侧墙的掩蔽作用下，可通过与MOSFET类似的自对准离子注入工艺在沟道区域上形成低漏掺杂区域和阴极区域/阳极区域掺杂；本发明的正反馈晶体管制备工艺与传统的CMOS兼容，增加了栅氧化层电容，使电荷保留时间上升，延长了数据存储时间，提升了该器件作为存储器的性能。
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