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公开(公告)号：CN1962509A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610118921.3
申请日：2006-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(ChannelSpark Ablation，CSA)制备p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2:Zn)透明导电硫化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺锌硫化铜铝化合物靶，在适当的氩气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下，采用CSA方法制备CuAlS2:Zn薄膜。所制备的薄膜为p型半导体透明硫化物薄膜，同时具有高电导率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的p型薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101262016B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810036559.4
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/54
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu1-xNixO)陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术(Pulsed Plasma Deposition，PPD)，在适当的氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得具有非晶结构的P型导电透明Cu1-xNixO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的P型导电透明氧化物薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有较好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101260507B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810036561.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种p型半导体掺镍氧化铜(Cu1-xNixO)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为保护气体，在管式电阻炉中烧结成致密的块体靶材。所制备的靶材具有p型导电的特征。该发明制作工艺简单、经济，制成的靶材成分均匀，性能稳定。本发明方法获得的靶材在磁控溅射技术和脉冲等离子体沉积技术等制备光电性能优良的p型导电透明掺镍氧化铜薄膜领域具有应用价值。
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公开(公告)号：CN101260507A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036561.1
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体氧化物材料领域，具体为一种P型半导体掺镍氧化铜(Cu1－xNixO)靶材及其制备方法。本发明将氧化铜粉末和氧化镍粉末均匀混合，采用粉末压片机干压成型，用氮气作为保护气体，在管式电阻炉中烧结成致密的块体靶材。所制备的靶材具有p型导电的特征。该发明制作工艺简单、经济，制成的靶材成分均匀，性能稳定。本发明方法获得的靶材在磁控溅射技术和脉冲等离子体沉积技术等制备光电性能优良的p型导电透明掺镍氧化铜薄膜领域具有应用价值。
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公开(公告)号：CN100556837C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200610118921.3
申请日：2006-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation，CSA)制备p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2:Zn)透明导电硫化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺锌硫化铜铝化合物靶，在适当的氩气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下，采用CSA方法制备CuAlS2:Zn薄膜。所制备的薄膜为p型半导体透明硫化物薄膜，同时具有高电导率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的p型薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101308877A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810039602.2
申请日：2008-06-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/267 , H01L21/329 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/54
Abstract: 本发明属于透明电子学领域，具体为一种透明半导体薄膜二极管及其制备方法。本发明以p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2:Zn)透明半导体薄膜和n型掺钨氧化铟(In2O3:W)透明导电薄膜相结合，构成CuAlS2:Zn－In2O3:W透明半导体薄膜二极管。本发明以普通玻璃为基板，首先利用脉冲等离子体沉积镀膜法生长一层p型导电CuAlS2:Zn薄膜，然后在室温条件下利用反应直流磁控溅射法在CuAlS2:Zn薄膜上制备一层n型导电In2O3:W薄膜。所制备的薄膜二极管显示出良好的二极管整流特性，且透明性良好，构成了一种新型的异质结透明半导体薄膜二极管。本发明获得的透明半导体薄膜二极管在新型光电子器件领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101262016A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810036559.4
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/54
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu1－xNixO)陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术(Pulsed Plasma Deposition，PPD)，在适当的氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得具有非晶结构的P型导电透明Cu1－xNixO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的P型导电透明氧化物薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有较好的应用前景。
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