公开(公告)号：CN118675704A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410545537.X

申请日：2024-05-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 冷思阳 ,  李凯文 ,  关春

IPC: G16H20/70 ,  G16H50/20 ,  G06N3/092 ,  G06N3/045

Abstract: 本发明基于PPO和Leader Rank算法，提出了一种基于强化学习的混合牵制策略用于改进DBS系统，该策略旨在通过对特定节点精确地施加脉冲刺激，从而抑制系统整体的同步性并且同时减少对脑神经系统侵入性，以提高治疗帕金森病及其他神经系统疾病的效果和精度。通过Leader Rank算法优化牵制节点的选择，通过PPO算法实现对DBS治疗过程的实时反馈和动态调整，从而提供更为个性化和精确的治疗方案。本发明包含如下步骤：步骤S1，建立一个包含患者特定脑区神经活动数据的强化学习环境；步骤S2，设定PPO模型的状态和动作；步骤S3，设计奖励函数并训练PPO模型实现同步抑制；步骤S4，使用Leader Rank算法计算实现牵制节点选择与优化；步骤S5，混合牵制控制策略实施；步骤S6，计算抑制系数、同步误差、总输出能量是否符合预期，是则进行步骤S7，否则返回步骤S1；步骤S7，将训练好的PPO模型以及混合牵制控制策略集成到带反馈的DBS系统中。

公开(公告)号：CN110098260A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910287859.8

申请日：2019-04-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任锦华 ,  张群 ,  沈杰 ,  李凯文 ,  黄瑜婷 ,  盛楚明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种宽禁带TmSnO半导体薄膜晶体管的制备方法，半导体薄膜晶体管制备方法包括以下步骤：提供一带有二氧化硅介质层的硅衬底，采用磁控溅射法在其上依次制备稀土元素Tm掺杂SnO2有源层，以及ITO透明导电薄膜源漏电极。本发明采用物理方法将稀土Tm元素掺杂进SnO2薄膜中，有效地抑制了SnO2半导体的氧空位，制备得到的TmSnO薄膜的禁带宽度大于3.8 eV。将制备得到的TmSnO薄膜应用于晶体管，得到的场效应薄膜晶体管具有优良的综合性能，优化的场效应迁移率大于5.0 cm2V-1s-1，开关比大于107，阈值电压大于-3 V，亚阈值摆幅小于0.7 Vdec-1，具有一定的产业应用前景。

公开(公告)号：CN108336146A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810133252.X

申请日：2018-02-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 任锦华 ,  张群 ,  李喜峰 ,  杨建文 ,  林东 ,  李凯文

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，具体为一种基于Al2O3高k介质层的GaxSn1-xO薄膜晶体管及其制备方法。本发明采用溶液法在硅基片上制备Al2O3高k介质层和GaxSn1-xO沟道层，源漏电极采用ITO或Al电极，形成具有一定电学功能的底栅结构型TFT器件。本发明将传统的溶液制备Al2O3介质层技术和无铟GaxSn1-xO双金属氧化物沟道有机结合，实现了高性能的场效应TFT器件，最佳的性能参数为场效应迁移率76.3 cm2V-1s-1，饱和迁移率71.6 cm2V-1s-1，开关比1.8×107，阈值电压0.67V，亚阈值摆幅76mVdec-1。