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公开(公告)号：CN102520020A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110411223.3
申请日：2011-12-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种寄生效应对电导法表征Ge衬底界面态所产生的干扰的修正方法。本发明在固定偏压、扫描频率时提取各频率下对应的寄生电阻和电容并对测试结果进行修正，具体步骤如下：把MOSCAP偏置在强积累区进行频率扫描测试，得到一系列频率下的寄生电阻和电容参数；再把MOSCAP偏置在耗尽区，以一致的频率扫描设置进行测试；用前者得到的各频率下的寄生参数修正后者对应频率下的测试数据；最后计算电导法对界面态的表征结果。本发明在TiN/HfO2/GeON/p-Ge电容结构上进行了实际验证。
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