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公开(公告)号：CN104410403B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410741630.4
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种亚阈值电平转换器。其结构包括一个输入反相器，一个电平转换电路，一个输出反相器。其中输入反相器用于产生两个互补的差分输入信号；电平转换电路用于实现输入信号从低电压到高电压的电平转换，输出反相器用于产生全摆幅的高压输出信号。本发明结构简单，能够有效的实现一个信号从亚阈值电压到高电压的电平转换。
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公开(公告)号：CN104409095B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410742898.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种具有位交叉功能的8管存储子阵列结构。其单元结构包括一个由传统的单端8管存储单元组成的mx1子阵列、一对分别受全局列选位线WBL及其互补位线WBLB控制的PMOS电源共享管和一对分别受全局列选位线WBL及其互补位线WBLB控制的NMOS放电共享管。本发明还包括由n列的mx1子阵列组成的 8管存阵列，当阵列中某一个存储单元进行写操作时，其所在列的其中一条列选位线跳变为高电平，则由这条列选位线控制的PMOS电源共享管关断，而控制的NMOS放电共享管打开，数据通过局部位线和放电共享管形成的对地通路将数据写入8管存储单元。本发明既支持位交叉功能，又能消除半选择破坏。
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公开(公告)号：CN104575588B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410743411.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种双胞胎存储单元。其单元电路包括一对结构完全相同的非对称的6管存储单元和一个共享的读晶体管；这对6管存储单元拥有不同的字线，共享一对位线和一个虚拟地结点；每个6管存储单元包含一对交叉耦合的反相器和两个传输NMOS管。保持状态下，所有字线WL与写字线WWL为低，读字线RWL为高，位线对BL和BLB为高；当进行写操作时，一个6管存储单元的字线WL与写字线WWL开启，读字线RWL保持为高，数据从位线BL和BLB写入存储单元；进行读操作时，一个6管存储单元的字线WL为高，写字线WWL和读字线RWL为低，数据通过动态的方式读出到位线BL上。本发明具有较高的读、写稳定性，并能在亚阈值电压下工作。
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公开(公告)号：CN104409093B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410742432.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种抗单粒子反转的差分10管存储单元。其单元结构包括两对交叉耦合的PMOS对、两对交叉耦合的NMOS对及一对NMOS传输管，并且含有4个互锁的存储结点。其中，第一和第二个存储结点通过第一对交叉耦合的PMOS对互锁；第一和第三个存储结点通过第一对交叉耦合的NMOS对互锁；第二和第四个存储结点通过第二对交叉耦合的NMOS对互锁；第三和第四个存储结点通过第二对交叉耦合的PMOS对互锁；当存储单元受到单粒子事件干扰时，互锁的存储结点能够有效的抗击单粒子干扰，保护存储的数据不被反转。本发明和6管存储单元一样，有着同样的差分读、写操作方式，却消除了6管存储单元常发生的读破坏和半选择破坏。
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公开(公告)号：CN104575588A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410743411.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种双胞胎存储单元。其单元电路包括一对结构完全相同的非对称的6管存储单元和一个共享的读晶体管；这对6管存储单元拥有不同的字线，共享一对位线和一个虚拟地结点；每个6管存储单元包含一对交叉耦合的反相器和两个传输NMOS管。保持状态下，所有字线WL与写字线WWL为低，读字线RWL为高，位线对BL和BLB为高；当进行写操作时，一个6管存储单元的字线WL与写字线WWL开启，读字线RWL保持为高，数据从位线BL和BLB写入存储单元；进行读操作时，一个6管存储单元的字线WL为高，写字线WWL和读字线RWL为低，数据通过动态的方式读出到位线BL上。本发明具有较高的读、写稳定性，并能在亚阈值电压下工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104410403A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410741630.4
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种亚阈值电平转换器。其结构包括一个输入反相器，一个电平转换电路，一个输出反相器。其中输入反相器用于产生两个互补的差分输入信号；电平转换电路用于实现输入信号从低电压到高电压的电平转换，输出反相器用于产生全摆幅的高压输出信号。本发明结构简单，能够有效的实现一个信号从亚阈值电压到高电压的电平转换。
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公开(公告)号：CN104409094A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410742586.9
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种亚阈值6管存储单元。其单元结构包括一个反相器，一个存储PMOS管，一个电源反馈PMOS管及两个NMOS传输管。反相器与存储PMOS管交叉耦合，形成存储器的存储核心，并且它们的电源电压由电源反馈管控制；两个NMOS传输管与分别与两个存储结点相连，构成存储单元的读、写电路；电源反馈管用于控制整个存储单元的电源供给；存储单元通过差分位线的方式，将数据写入存储单元，而通过单端位线的方式将数据读出，即通过传输NMOS管及反相器的下拉管形成的下拉通路将数据读出到位线上。本发明具有较小的面积，非常低的漏电流，及较高的低电压工作稳定性。
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公开(公告)号：CN104409093A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410742432.X
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种抗单粒子反转的差分10管存储单元。其单元结构包括两对交叉耦合的PMOS对、两对交叉耦合的NMOS对及一对NMOS传输管，并且含有4个互锁的存储结点。其中，第一和第二个存储结点通过第一对交叉耦合的PMOS对互锁；第一和第三个存储结点通过第一对交叉耦合的NMOS对互锁；第二和第四个存储结点通过第二对交叉耦合的NMOS对互锁；第三和第四个存储结点通过第二对交叉耦合的PMOS对互锁；当存储单元受到单粒子事件干扰时，互锁的存储结点能够有效的抗击单粒子干扰，保护存储的数据不被反转。本发明和6管存储单元一样，有着同样的差分读、写操作方式，却消除了6管存储单元常发生的读破坏和半选择破坏。
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公开(公告)号：CN104506183B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410741741.5
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种单电压亚阈值电平转换器。其结构包括两个串联的电平转换反相器。第一个反相器的输入与电路的输入相连，它的下拉网络由一个NMOS管组成，上拉网络由三个PMOS管构成，这三个PMOS管构成了一个带二极管的内部反馈环；第二个反相器的输入与电路的输出相连，它的下拉网络也由一个NMOS管组成，上拉网络由两个堆叠的PMOS构成。当电路输入一个低电压信号时，输出会产生一个全摆幅的高压输出信号。本发明结构简单，能够有效的实现一个信号从亚阈值电压到高电压的电平转换。并且整个电路只需要一个高电压电源，使得它的物理版图可以任意布局和摆放，具有很强的灵活性。
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公开(公告)号：CN104409094B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410742586.9
申请日：2014-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路存储器技术领域，具体为一种亚阈值6管存储单元。其单元结构包括一个反相器，一个存储PMOS管，一个电源反馈PMOS管及两个NMOS传输管。反相器与存储PMOS管交叉耦合，形成存储器的存储核心，并且它们的电源电压由电源反馈管控制；两个NMOS传输管与分别与两个存储结点相连，构成存储单元的读、写电路；电源反馈管用于控制整个存储单元的电源供给；存储单元通过差分位线的方式，将数据写入存储单元，而通过单端位线的方式将数据读出，即通过传输NMOS管及反相器的下拉管形成的下拉通路将数据读出到位线上。本发明具有较小的面积，非常低的漏电流，及较高的低电压工作稳定性。
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