公开(公告)号：CN1975892A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610147249.0

申请日：2006-12-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周仕明 ,  焦新兵 ,  徐振

IPC: G11B11/10 ,  G11B5/66 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明属磁电子学和光磁混合记录技术领域，具体为一种具有高矫顽力的光磁混合存储材料及其制备方法。本发明不同于传统的薄膜生长过程，首先射频磁控溅射一层MgO缓冲层，然后直流磁控溅射一层TbFeCo，形成双层薄膜，材料的矫顽力明显提高。本发明可提高光磁混合存储材料矫顽力，有助于进一步改善材料的性能，提高材料的磁晶各向异性，从而提高材料的热稳定性。

公开(公告)号：CN100550150C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610147249.0

申请日：2006-12-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周仕明 ,  焦新兵 ,  徐振

IPC: G11B11/10 ,  G11B5/66 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明属磁电子学和光磁混合记录技术领域，具体为一种具有高矫顽力的光磁混合存储材料及其制备方法。本发明不同于传统的薄膜生长过程，首先射频磁控溅射一层MgO缓冲层，然后直流磁控溅射一层TbFeCo，形成双层薄膜，材料的矫顽力明显提高。本发明可提高光磁混合存储材料矫顽力，有助于进一步改善材料的性能，提高材料的磁晶各向异性，从而提高材料的热稳定性。