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公开(公告)号：CN109887921A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910041823.1
申请日：2019-01-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11563
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于二维半导体材料的围栅存储器及其制备方法。本发明利用围栅结构替代传统存储器的单栅结构，通过增强器件的栅控能力，得到窗口更大、保持时间更长的非易失性存储器。本发明制备过程包括：先在衬底上利用电子束蒸发、原子层沉积、机械剥离及化学气相沉积等方法依次获得依次金属栅极、介质层、电荷俘获层、隧穿层及沟道材料，然后利用上述相同方法以相反的顺序获得围栅结构。本发明可以制备具有较大存储窗口以及较长保持时间的新型存储器，极大的增强栅极电压对器件的控制能力，可在未来存储器领域被广泛应用。
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