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公开(公告)号：CN115186010A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210828546.0
申请日：2022-07-13
Applicant: 国网冀北电力有限公司信息通信分公司 , 国家电网有限公司 , 北京邮电大学
Inventor： 尚芳剑 , 李信 , 陈重韬 , 王艺霏 , 李坚 , 吴佳 , 娄竞 , 姚艳丽 , 闫忠平 , 张少军 , 杨峰 , 来骥 , 李欣怡 , 张宁 , 温馨 , 王森 , 张海明 , 李平舟 , 胡海洋 , 郭少勇
IPC: G06F16/2458 , G06F16/27 , G06F21/62
Abstract: 本发明涉及电网调度技术领域，提供一种电力数据的溯源方法、系统、电子设备和存储介质，该方法包括：采集在全生命周期中产生的电力数据；根据数据模型将电力数据转换为设定的数据结构；根据溯源模型的节点类型以及连接边类型，对设定的数据结构中的数据进行处理得到原数据；将原数据存储至区块链，并根据区块链中存储的原数据对电力数据进行溯源。本发明实施例提出基于联盟链的电力数据溯源架构，实现了发电、输电、变电、配电以及用电整个流程中对数据的溯源，解决了传统的数据溯源方法普遍存在数据造假难查证、数据资源难交换、数据隐私难监管等问题，提高了溯源数据的可信度和电力交易的监管度。
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公开(公告)号：CN116840536A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310819443.2
申请日：2023-07-05
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01R13/28 , G06F18/10 , G06F18/2132 , G06F17/14 , G06F17/11
Abstract: 本发明公开了一种可以应用于宽带取样示波器的抖动分离的方法，该发明能够较好地将总抖动中的确定性抖动与随机性抖动分离出来。本发明首先对提取出的时域上的总抖动直方图进行离散傅里叶变换，利用确定性抖动在频谱上呈现一定频谱范围内高峰的特点，分离出确定性抖动，而后将频域上的抖动转换回时域上，用混合高斯模型对随机性抖动进行描述。该发明结合了时域和频域处理抖动分离的优点，在保证了一定的精确度的同时，还兼具了处理的速度。
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公开(公告)号：CN116796136A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310815920.8
申请日：2023-07-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F18/10 , G06F18/2131 , G06F18/2132 , G06F18/2135
Abstract: 本发明公开了一种用于减小高速采样示波器时基抖动的方法，所述方法包括：对信号进行采样和波型构建，基于香农准则标准化频谱，根据局部最大值算法分割频谱，使用经验尺度函数和经验小波对每段频谱进行积分卷积等处理，对得到的细节系数和近似系数进行处理，计算协方差矩阵得到主成分，再以主成分贡献率为标准确定主成分个数，再进行卷积运算得到新数据，最后对其重构还原真实信号。本发明所述技术方案可以减小高速采样示波器的时基抖动，从而测量减小误差。
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公开(公告)号：CN113938624A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111201996.9
申请日：2021-10-15
IPC: H04N5/357
Abstract: 本发明公开了一种多载波系统中载波串扰与偏振串扰联合补偿方法，通过采用三个自适应滤波器将相邻子载波进行频率移位得到的信号与同频率不同偏振的另一信号共同对原信号进行载波串扰补偿和偏振模色散补偿，并且滤波器的抽头系数随着信号的输入不断更新，通过每个滤波器不同的抽头系数比例对原信号进行恢复，可以很有效的消除原信号的频谱串扰和偏振模色散干扰。基于本发明提出的对载波间串扰和偏振模色散联合补偿方法，可以有效地提升发送信号的频谱效率，提高在光纤中传输的距离，有效地增大接收端的信噪比和减小误码率。在高速率高密集多载波的光纤传输系统中有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN106480498B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610888922.X
申请日：2016-10-12
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。本发明在单晶硅衬底上制作种子层、位错阻挡层和激光器材料。所述的种子层包括GaAs低温成核层和GaAs高温缓冲层；位错阻挡层包括纳米尺寸图形掩膜和GaAs侧向外延层；激光器材料包括n型欧姆接触层、n型限制层、下波导层、量子点有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。本发明通过图形衬底对穿透位错的阻挡作用，能有效地降低GaAs外延层的位错密度，提高GaAs外延层的晶体质量，进而提高量子点激光器性能和质量。本发明能够大面积、高重复性、均匀地完成材料生长和制备，更加符合产业化的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105088181B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201410221660.2
申请日：2014-05-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN105088181A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410221660.2
申请日：2014-05-23
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种硅基量子点激光器材料的MOCVD制备方法，利用MOCVD方法依次进行如下步骤的材料制备，包括：在清洁的单晶硅衬底上制作GaAs低温成核层；在所述GaAs低温成核层上制作GaAs高温缓冲层；在所述GaAs高温缓冲层上制作应变超晶格结构；在所述应变超晶格结构上制作n型欧姆接触层；在所述n型欧姆接触层上制作n型限制层；在所述n型限制层上制作下波导层；在所述下波导层上制作多层量子点有源区；在所述多层量子点有源区上制作上波导层；在所述上波导层上制作p型限制层；在所述p型限制层上制作p型欧姆接触层。本发明能够大面积、均匀快速、高重复性地完成材料生长和制备，成本更加低廉，更适合产业化的需求。
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公开(公告)号：CN116796134A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310753851.2
申请日：2023-06-25
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种用于修正高速取样示波器时基抖动的方法，所述方法包括：构建示波器波形的函数模型，用矩阵处理数据的方程组，引入矫正向量和矩阵，表达约束矩阵并求解；其中表达约束矩阵并求解包括：用正交距离回归算法计算示波器产生的抖动误差；计算求解步骤为根据矩阵的解的个数采用不同的方法，当矩阵为单解时，采用奇异值分解方法；当矩阵为多解时，采用梯度下降方法。本发明所述技术方案修正了高速高带宽取样示波器的时基抖动问题，使测量结果更加精准。
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公开(公告)号：CN108418095A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810119727.X
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京邮电大学
CPC classification number: H01S5/34 , C23C16/042 , C23C16/301
Abstract: 本发明提供一种电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法，包括：S1、通过PECVD方法、干法刻蚀技术和湿法刻蚀技术在单晶硅衬底上制作纳米尺寸图形掩膜；S2、基于MOCVD方法在所述图形掩膜上依次制作InP低温成核层、n-InP高温缓冲层、位错阻挡层、n型限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、p型限制层和p型欧姆接触层。通过优化两步生长法和选区外延条件，利用制备在硅片上的纳米尺寸的大高宽比二氧化硅掩膜图形衬底结构，将生长窗口区的穿透位错阻挡在二氧化硅掩膜侧壁上，同时采用应变超晶格结构作为位错阻挡结构，使得上层InP材料的位错密度进一步降低。
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公开(公告)号：CN108376640A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810018868.2
申请日：2018-01-09
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种InGaAs/Si外延材料的制备方法，制备方法包括：在单晶硅衬底上制作InGaAs低温成核层，所述InGaAs低温成核层的温度为410～430℃，利用MOCVD方法制作；在所述InGaAs低温成核层上制作InGaAs高温外延层，以完成对InGaAs/Si外延材料的制备，所述InGaAs高温外延层利用MOCVD方法制作。本发明提供的InGaAs/Si外延材料的制备方法，通过设置采用MOCVD方法先制成低温成核层，再制成高温外延层，仅用以上两步完成对InGaAs/Si外延材料的制备，具有成本低，更适合产业化的需求的有益之处，相较于现有技术中采用MBE生长InxGa1-xAs等缓冲层，使用超晶格位错阻挡层以及选区外延等方法，本发明采用MOCVD仅用两步完成InGaAs/Si材料的制备，使得本发明的制备方法工艺简单，适合于大批量生长。
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