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公开(公告)号：CN113358601A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110609225.7
申请日：2021-06-01
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种基于矩形环孔洞连接短接矩形孔洞的多Fano共振介质超表面折射率传感器，所述光学折射率传感器主要由介质基底和超表面微结构单元阵列组成，其中介质超表面结构单元阵列由若干个微结构单元组成并在每个介质超表面微单元中心对称刻蚀一个矩形环孔洞连接短接矩形孔洞，矩形环内方形边长为R，孔洞宽度为w，短接矩形长为L，宽为w，超表面结构厚度为t。光波垂直入射时，该发明的透射谱图中形成三个个尖锐的Fano共振可用于折射率传感器。本发明由全介质材料构成，无欧姆损耗，可用于不同折射率的气体液体的检测。
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公开(公告)号：CN116840536A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310819443.2
申请日：2023-07-05
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01R13/28 , G06F18/10 , G06F18/2132 , G06F17/14 , G06F17/11
Abstract: 本发明公开了一种可以应用于宽带取样示波器的抖动分离的方法，该发明能够较好地将总抖动中的确定性抖动与随机性抖动分离出来。本发明首先对提取出的时域上的总抖动直方图进行离散傅里叶变换，利用确定性抖动在频谱上呈现一定频谱范围内高峰的特点，分离出确定性抖动，而后将频域上的抖动转换回时域上，用混合高斯模型对随机性抖动进行描述。该发明结合了时域和频域处理抖动分离的优点，在保证了一定的精确度的同时，还兼具了处理的速度。
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公开(公告)号：CN116796136A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310815920.8
申请日：2023-07-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G06F18/10 , G06F18/2131 , G06F18/2132 , G06F18/2135
Abstract: 本发明公开了一种用于减小高速采样示波器时基抖动的方法，所述方法包括：对信号进行采样和波型构建，基于香农准则标准化频谱，根据局部最大值算法分割频谱，使用经验尺度函数和经验小波对每段频谱进行积分卷积等处理，对得到的细节系数和近似系数进行处理，计算协方差矩阵得到主成分，再以主成分贡献率为标准确定主成分个数，再进行卷积运算得到新数据，最后对其重构还原真实信号。本发明所述技术方案可以减小高速采样示波器的时基抖动，从而测量减小误差。
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公开(公告)号：CN113376122A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110645693.X
申请日：2021-06-01
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于四矩形硅柱结构的全介质超表面折射率传感器，所述光学折射率传感器主要由介质基底和硅超表面微结构单元阵列组成，其中硅超表面微结构单元阵列由若干个微结构单元组成：每个微结构单元由四个完全相同的矩形硅柱构成且矩形硅柱中心对称分布。本发明无金属结构，无欧姆损耗，可用于不同折射率的气体液体的检测，具有较高的灵敏度和品质因数。此外，本发明基于硅材料，具有CMOS兼容性，有望实现大规模集成生产。
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公开(公告)号：CN113376121A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110635335.0
申请日：2021-06-01
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于连接双半圆环孔洞的高Q值介质超表面折射率传感器，所述光学折射率传感器主要由介质基底和超表面微结构单元阵列组成，其中介质超表面结构单元阵列由若干个微结构单元组成并在每个介质超表面微单元中心对称刻蚀两个连接半圆环孔洞，两个连接半圆环孔洞的内外圆半径均为R1和R2。光波垂直入射时，该发明的透射谱图中形成一个尖锐的Fano共振可用于折射率传感器。本发明由全介质材料构成，无欧姆损耗，表现出较高的Q值，可用于不同折射率的气体液体的检测。
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公开(公告)号：CN116796134A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310753851.2
申请日：2023-06-25
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种用于修正高速取样示波器时基抖动的方法，所述方法包括：构建示波器波形的函数模型，用矩阵处理数据的方程组，引入矫正向量和矩阵，表达约束矩阵并求解；其中表达约束矩阵并求解包括：用正交距离回归算法计算示波器产生的抖动误差；计算求解步骤为根据矩阵的解的个数采用不同的方法，当矩阵为单解时，采用奇异值分解方法；当矩阵为多解时，采用梯度下降方法。本发明所述技术方案修正了高速高带宽取样示波器的时基抖动问题，使测量结果更加精准。
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公开(公告)号：CN114034663A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111310903.6
申请日：2021-11-05
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种基于全介质超表面的三Fano共振微纳折射率传感器，它的超表面结构由对称性破缺的硅纳米孔阵列周期性排布而成，即首先将一层硅薄膜沉积到二氧化硅基底上，然后依次经过曝光、显影和电感耦合等离子体(ICP)等工艺蚀刻出顶层超表面结构。圆形纳米孔的半径分别为d0和d1，纳米孔之间的中心距离为l0都相等。本发明使用高折射率的介电材料避免了金属材料引起的欧姆损耗，具有低损耗、高Q值、高FOM值、器件与CMOS工艺兼容的特点。可实现高性能、小型化和高集成度光子器件。
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