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公开(公告)号:CN104052123B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201410290795.4
申请日:2014-06-25
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明公开了一种超级电容串联均压电路。包括:包括全桥逆变器、电压乘法器和变压器,全桥逆变器的输入和电压乘法器的输出相连接,全桥逆变器包括第一~第四全控型器件,四个电容、四个二极管,第一~第四全控型器件构成四个桥臂,每个全控型器件分别并联一个二极管和一个电容,第一全控型器件的源极与第五电容的1端相连,第五电容的2端串联一个第一电感后与变压器1端相连,变压器2端与第四全控型器件的漏极相连,变压器1端和2端之间并联一个第二电感,变压器3端和4端与电压乘法器相连。全控型器件为N沟道PMOSFET或IGBT。全桥逆变器采用移相全桥控制方式,本发明具有结构简单、低损耗的优点。
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公开(公告)号:CN104052123A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201410290795.4
申请日:2014-06-25
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明公开了一种超级电容串联均压电路。包括:包括全桥逆变器、电压乘法器和变压器,全桥逆变器的输入和电压乘法器的输出相连接,全桥逆变器包括第一~第四全控型器件,四个电容、四个二极管,第一~第四全控型器件构成四个桥臂,每个全控型器件分别并联一个二极管和一个电容,第一全控型器件的源极与第五电容的1端相连,第五电容的2端串联一个第一电感后与变压器1端相连,变压器2端与第四全控型器件的漏极相连,变压器1端和2端之间并联一个第二电感,变压器3端和4端与电压乘法器相连。全控型器件为N沟道PMOSFET或IGBT。全桥逆变器采用移相全桥控制方式,本发明具有结构简单、低损耗的优点。
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