公开(公告)号：CN112305473B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202011148923.3

申请日：2020-10-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 于强 ,  高艺成 ,  王朝阳 ,  颜世佐 ,  高俊奇 ,  沈莹 ,  黎旦 ,  李利彬

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/02 ,  G01R33/00 ,  G06F17/16 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明公开了一种三轴TMR传感器的校准方法，所述方法包括：将三轴TMR传感器放置在水平平台上，并在该平台上测量得到TMR传感器的输出值；建立误差模型，并利用基于椭球拟合的BP神经网络拟合对所述误差模型进行校正，得到校正后的误差模型；利用校正后的误差模型对所述TMR传感器的输出值进行修正。利用本发明，可以改善三轴TMR传感器在复杂磁场环境下的测量精度。

公开(公告)号：CN112305473A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202011148923.3

申请日：2020-10-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 于强 ,  高艺成 ,  王朝阳 ,  颜世佐 ,  高俊奇 ,  沈莹 ,  黎旦 ,  李利彬

IPC: G01R33/09 ,  G01R33/02 ,  G01R33/00 ,  G06F17/16 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种三轴TMR传感器的校准方法，所述方法包括：将三轴TMR传感器放置在水平平台上，并在该平台上测量得到TMR传感器的输出值；建立误差模型，并利用基于椭球拟合的BP神经网络拟合对所述误差模型进行校正，得到校正后的误差模型；利用校正后的误差模型对所述TMR传感器的输出值进行修正。利用本发明，可以改善三轴TMR传感器在复杂磁场环境下的测量精度。