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公开(公告)号：CN115094426B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210915401.4
申请日：2022-08-01
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C23F11/12
Abstract: 本发明公开一种基于协同机制构筑的复合缓蚀剂的制备方法，属于新型材料技术领域。本发明提出通过严格控制聚丙烯酸钠和九水硝酸铁的比例合成聚丙烯酸铁溶液，接着将其与一定量的半胱氨酸溶液混合制成复合缓蚀剂。本发明解决了半胱氨酸作为缓蚀剂容易产生有害氢离子加速腐蚀的问题，利用聚丙烯酸铁与半胱氨酸的协同作用，不仅可以捕获半胱氨酸氧化产生的氢离子，而且能加速胱氨酸和半胱氨酸‑铁络合物的生成，可有效延长金属的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111057442B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201911337501.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C09D163/00 , C09D5/08
Abstract: 本发明提供一种中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器的制备方法，将中空介孔二氧化硅与氨丙基三甲氧基硅烷混合进行改性，然后将改性的中空介孔二氧化硅接枝到氧化石墨烯表面，制成在环氧涂层中具有良好分散性，并能负载腐蚀抑制剂的中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器；本发明提高了氧化石墨烯在环氧涂层中的分散性，这将极大地提高氧化石墨烯环氧涂层的使用寿命。本发明也解决了氧化石墨烯在环氧涂层中只能提供被动防护功能的限制，将氧化石墨烯制成可以负载腐蚀抑制剂的纳米容器，主动腐蚀防护功能将为金属基底提供长效的腐蚀防护。
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公开(公告)号：CN110745849A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910954363.1
申请日：2019-10-09
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C01F7/00
Abstract: 本发明提供一种硝酸根插层的镁铝水滑石制备方法，将NaOH溶液滴定在L-组氨酸溶液中等到L-组氨酸底液；将L-组氨酸底液倒入容器中，通入氮气，在氮气保护、20-30℃的温度和剧烈搅拌的条件下，将硝酸镁、硝酸铝混合溶液滴加到L-组氨酸底液中，之后恒温搅拌得到得到镁铝水滑石悬浊液；将制得的镁铝水滑石悬浊液倒入反应釜中，水热处理；将水热处理后的镁铝水滑石悬浊液离心，洗涤，烘干得到硝酸根插层的镁铝水滑石；本发明所制得的镁铝水滑石产量高，结晶度好，可以代替传统的以硝酸钠为硝酸根来源的硝酸根插层的镁铝水滑石的制备方法。
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公开(公告)号：CN111286216A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010232997.9
申请日：2020-03-28
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明一种提高Ce3+在中空介孔SiO2微球中负载量的方法，包括如下步骤：步骤一：制备中空介孔SiO2微球；步骤二：向中空介孔SiO2微球中负载Ce3+制备Ce3+/SiO2微球：步骤三：使用硅烷对负载三价铈的中空介孔SiO2微球进行改性：步骤四：向改性的中空介孔SiO2微球中再次负载Ce3+制备硅烷改性Ce3+/SiO2微球。本发明提供的这种制备方法绿色环保、温和可控，环境污染小，制得的改性中空介孔二氧化硅微球对Ce3+的负载量有明显提高。
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公开(公告)号：CN111057442A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911337501.8
申请日：2019-12-23
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C09D163/00 , C09D5/08
Abstract: 本发明提供一种中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器的制备方法，将中空介孔二氧化硅与氨丙基三甲氧基硅烷混合进行改性，然后将改性的中空介孔二氧化硅接枝到氧化石墨烯表面，制成在环氧涂层中具有良好分散性，并能负载腐蚀抑制剂的中空介孔二氧化硅\APS\氧化石墨烯纳米容器；本发明提高了氧化石墨烯在环氧涂层中的分散性，这将极大地提高氧化石墨烯环氧涂层的使用寿命。本发明也解决了氧化石墨烯在环氧涂层中只能提供被动防护功能的限制，将氧化石墨烯制成可以负载腐蚀抑制剂的纳米容器，主动腐蚀防护功能将为金属基底提供长效的腐蚀防护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110699719A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201911084743.0
申请日：2019-11-08
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开一种在镁合金表面制备致密电泳涂层的方法，属于金属材料表面处理领域。具体包括以下步骤：对镁合金进行前处理；对镁合金表面离子液体电镀铝；制备电泳涂料；涂装电泳涂料。在涂装电泳涂层前，利用离子液体电镀的方式在镁合金表面沉积一层铝镀层，在制备的铝镀层上进行电泳涂装，该铝镀层可有效解决镁合金表面电位不均匀以及镁合金在电泳液中容易腐蚀的问题，使得制备的电泳涂层更致密。本发明制作过程简单、高效，对整个实验过程要求不高，且制备出的镁合金表面电泳涂层均匀、致密、平整，可有效的保护镁合金免受腐蚀的危害。进行中性盐雾试验的结果表明，在中性盐雾环境中500h后镁合金表面并没有出现腐蚀，电泳涂层完整无破坏。
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公开(公告)号：CN110407246A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910612659.5
申请日：2019-07-09
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: C01G9/00
Abstract: 本发明提供一种基于甲硫氨酸合成硝酸根插层锌铝水滑石的制备方法，按将Zn(NO3)2·6H2O、Al(NO3)3·9H2O均匀分散在去离子水中，形成溶液A；NaOH溶液为溶液B；将甲硫氨酸溶解在去离子水形成溶液C；在搅拌和通入惰性气体条件下，将溶液A滴加到溶液C中，待滴加完毕后，将混合溶液转移至反应容器中进行水热处理，抽滤并用去离子水反复洗涤沉淀至中性，得到基于甲硫氨酸合成硝酸根插层锌铝水滑石；本发明制作过程简单、高效、成本低廉，对整个实验过程要求不高，且制备出的硝酸根插层锌铝水滑石较为纯净，更为重要的是所用原料甲硫氨酸为环境友好型氨基酸，绿色环保。
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公开(公告)号：CN113564607B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110772080.2
申请日：2021-07-08
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法，通过严格控制合成条件在镁合金表面制备植酸微裂纹存储器，接着将缓蚀剂2‑巯基苯并噻唑(MBT)负载到存储器中，制成MBT/植酸自修复体系。相比于传统的有机涂层掺杂存储器的制备方式，本发明中制备的植酸微裂纹存储器既可以为镁合金提供被动的腐蚀防护，又可以利用自身的微裂纹作为负载缓蚀剂的存储器。此外，通过控制溶液浓度、真空度、浸渍时间以及冲洗方式在植酸微裂纹存储器中负载缓蚀剂MBT制成的具有自修复功能的体系，不仅节约了成本，简化了制备过程，而且解决了存储器与有机涂层相容性差、缓蚀剂负载量低等问题。
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公开(公告)号：CN115491732A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211056698.X
申请日：2022-08-31
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明属于镁合金表面防腐领域，具体涉及一种镁合金表面电沉积Zn/Cu/Al‑Zr三层复合镀层及制备方法。所述复合镀层结构由外向内分别为铝锆合金镀层、镀铜层以及镀锌层，其中铝锆合金镀层的制备在离子液体体系中完成，其余涉及液相的处理及电镀过程均在水基溶液中完成；本发明制造防护镀层的成本低、与镁合金基体之间的结合力强、对基体影响小；所获得的三层复合镀层各层之间经设计具有不同的电位差，当最外层出现破损和缺陷时，电化学牺牲阳极保护原理有效地将纵向腐蚀转为横向腐蚀，对镁合金基体提供良好的保护作用，从而使复合镀层整体具有优异的抗腐蚀性能，耐盐雾时间达到了144h，同时锆的添加还增加了镀层的表面光泽程度。
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公开(公告)号：CN110699719B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201911084743.0
申请日：2019-11-08
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开一种在镁合金表面制备致密电泳涂层的方法，属于金属材料表面处理领域。具体包括以下步骤：对镁合金进行前处理；对镁合金表面离子液体电镀铝；制备电泳涂料；涂装电泳涂料。在涂装电泳涂层前，利用离子液体电镀的方式在镁合金表面沉积一层铝镀层，在制备的铝镀层上进行电泳涂装，该铝镀层可有效解决镁合金表面电位不均匀以及镁合金在电泳液中容易腐蚀的问题，使得制备的电泳涂层更致密。本发明制作过程简单、高效，对整个实验过程要求不高，且制备出的镁合金表面电泳涂层均匀、致密、平整，可有效的保护镁合金免受腐蚀的危害。进行中性盐雾试验的结果表明，在中性盐雾环境中500h后镁合金表面并没有出现腐蚀，电泳涂层完整无破坏。
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