公开(公告)号：CN114000118B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202111241398.4

申请日：2021-10-25

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 傅宇东 ,  王恩宏 ,  刘国潭 ,  何雄辉 ,  魏斌 ,  闫牧夫

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  C23C8/36

Abstract: 本发明涉及钛合金渗氮技术领域，尤其涉及一种钛合金表面硬度梯度分布层厚可调的氮化层制备方法，包括以下步骤：钛合金基体预处理(打磨、抛光、清洗、烘干)、PVD沉积Al‑Cu‑Ti过渡层、低温等离子体渗氮，在钛合金表面形成硬度梯度分布、层厚可调的氮化层；所述钛合金基体为预变形后的α+β型钛合金；所述PVD沉积功率优选为120W‑200W；所述低温等离子体渗氮温度在400℃‑550℃。采用本发明的方法可以在钛合金表面形成硬度梯度分布、层厚可调的氮化层，可显著改善氮化层与钛合金基体的结合强度，提高氮化层的韧性、耐磨性，扩大其应用范围。

公开(公告)号：CN114000118A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202111241398.4

申请日：2021-10-25

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 傅宇东 ,  王恩宏 ,  刘国潭 ,  何雄辉 ,  魏斌 ,  闫牧夫

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58 ,  C23C8/36

Abstract: 本发明涉及钛合金渗氮技术领域，尤其涉及一种钛合金表面硬度梯度分布层厚可调的氮化层制备方法，包括以下步骤：钛合金基体预处理(打磨、抛光、清洗、烘干)、PVD沉积Al‑Cu‑Ti过渡层、低温等离子体渗氮，在钛合金表面形成硬度梯度分布、层厚可调的氮化层；所述钛合金基体为预变形后的α+β型钛合金；所述PVD沉积功率优选为120W‑200W；所述低温等离子体渗氮温度在400℃‑550℃。采用本发明的方法可以在钛合金表面形成硬度梯度分布、层厚可调的氮化层，可显著改善氮化层与钛合金基体的结合强度，提高氮化层的韧性、耐磨性，扩大其应用范围。