公开(公告)号：CN108642541A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810507715.4

申请日：2018-05-24

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 傅宇东 ,  宋扬 ,  滕悦 ,  卢熙群 ,  张宝峰 ,  孙焕政 ,  王雪飞 ,  李子峰

IPC: C25D9/08 ,  C25D7/12

CPC classification number: C25D9/08 ,  C25D7/12

Abstract: 本发明提供的是一种具有紫外吸收峰的钛掺杂二硫化钼薄膜的制备方法。以铂电极作为阳极、单晶硅片作为阴极、极距为2.5～3.5cm、工作方式为恒流状态、阴极表面电流密度为0.1～2.5mA/cm2，在电沉积液中进行电沉积，通过沉积时间控制MoS2薄膜厚度在50～1000nm范围内，所述电沉积液由硫化钠、钼酸钠、硫酸氧钛配制而成。本发明提供的方法能够用于制备具有特殊紫外吸收峰的钛掺杂二硫化钼薄膜，并且本发明提供的原料来源广泛，且成分稳定，能够满足生产中原料的需求，并且成本较低，应用前景广泛。