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公开(公告)号：CN113564607B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202110772080.2
申请日：2021-07-08
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法，通过严格控制合成条件在镁合金表面制备植酸微裂纹存储器，接着将缓蚀剂2‑巯基苯并噻唑(MBT)负载到存储器中，制成MBT/植酸自修复体系。相比于传统的有机涂层掺杂存储器的制备方式，本发明中制备的植酸微裂纹存储器既可以为镁合金提供被动的腐蚀防护，又可以利用自身的微裂纹作为负载缓蚀剂的存储器。此外，通过控制溶液浓度、真空度、浸渍时间以及冲洗方式在植酸微裂纹存储器中负载缓蚀剂MBT制成的具有自修复功能的体系，不仅节约了成本，简化了制备过程，而且解决了存储器与有机涂层相容性差、缓蚀剂负载量低等问题。
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公开(公告)号：CN112941497B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202110113288.3
申请日：2021-01-27
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开一种基于镁合金保护层的快速自修复体系的制备方法，按照下述步骤进行制备：步骤1，将植酸溶解到无水溶剂中，制成自修复液；步骤2，对镁合金保护层进行预处理，将表面用去离子水冲洗干净，然后充分干燥；步骤3，通过浸渍法将自修复液浸涂在镁合金保护层表面，低温下充分干燥。本发明解决了传统镁合金保护层在出现破损时无法实现自主修复的问题，极大地延长了镁合金的服役时间，降低了维护成本，此外，本发明制作过程简单、成本低廉、可操作性强，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113564607A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110772080.2
申请日：2021-07-08
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开一种镁合金表面MBT/植酸自修复体系的制备方法，通过严格控制合成条件在镁合金表面制备植酸微裂纹存储器，接着将缓蚀剂2‑巯基苯并噻唑(MBT)负载到存储器中，制成MBT/植酸自修复体系。相比于传统的有机涂层掺杂存储器的制备方式，本发明中制备的植酸微裂纹存储器既可以为镁合金提供被动的腐蚀防护，又可以利用自身的微裂纹作为负载缓蚀剂的存储器。此外，通过控制溶液浓度、真空度、浸渍时间以及冲洗方式在植酸微裂纹存储器中负载缓蚀剂MBT制成的具有自修复功能的体系，不仅节约了成本，简化了制备过程，而且解决了存储器与有机涂层相容性差、缓蚀剂负载量低等问题。
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公开(公告)号：CN112941497A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110113288.3
申请日：2021-01-27
Applicant: 哈尔滨工程大学
Abstract: 本发明公开一种基于镁合金保护层的快速自修复体系的制备方法，按照下述步骤进行制备：步骤1，将植酸溶解到无水溶剂中，制成自修复液；步骤2，对镁合金保护层进行预处理，将表面用去离子水冲洗干净，然后充分干燥；步骤3，通过浸渍法将自修复液浸涂在镁合金保护层表面，低温下充分干燥。本发明解决了传统镁合金保护层在出现破损时无法实现自主修复的问题，极大地延长了镁合金的服役时间，降低了维护成本，此外，本发明制作过程简单、成本低廉、可操作性强，具有广阔的应用前景。
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