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公开(公告)号:CN108112159A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201711381308.5
申请日:2017-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种纳米金属电路原位一体化增材制造装置,该制造装置采用模块化设计,将纳米金属的增材送料模块、原位加热、原位激光烧结、原位辐照还原、气体保护进行高度集成并协同控制。不仅能实现二维平面电路制备,还可以实现具有复杂曲面曲率以及曲率变化的三维电路制备。本发明将纳米金属电路的成型、原位还原、原位烧结进行一体化制备,解决了纳米金属氧化问题,提高了效率,制件形状和尺寸也无须受烧结炉的限制,扩大了增材制造方法的适用范围,改善了传统纳米金属电路制备过程中纳米金属颗粒分布不匀或者烧结后残留孔隙问题,提高了电路致密性和一致性,最终获得性能优良的电路。
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公开(公告)号:CN108112159B
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN201711381308.5
申请日:2017-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明公开了一种纳米金属电路原位一体化增材制造装置,该制造装置采用模块化设计,将纳米金属的增材送料模块、原位加热、原位激光烧结、原位辐照还原、气体保护进行高度集成并协同控制。不仅能实现二维平面电路制备,还可以实现具有复杂曲面曲率以及曲率变化的三维电路制备。本发明将纳米金属电路的成型、原位还原、原位烧结进行一体化制备,解决了纳米金属氧化问题,提高了效率,制件形状和尺寸也无须受烧结炉的限制,扩大了增材制造方法的适用范围,改善了传统纳米金属电路制备过程中纳米金属颗粒分布不匀或者烧结后残留孔隙问题,提高了电路致密性和一致性,最终获得性能优良的电路。
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