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公开(公告)号：CN118241067A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410334826.5
申请日：2024-03-22
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 宁波坤铜高新材料有限公司
IPC: C22C1/05 , B22F3/04 , B22F3/20 , B22F3/18 , B22F3/24 , B22F9/04 , C22C5/06 , C22C32/00 , H01H11/04 , H01H1/0237
Abstract: 一种低温升金属离子掺杂银氧化锌电接触材料的制备方法，涉及一种电接触材料的制备方法。本发明是要解决现有的银氧化物电接触材料在服役过程中温升高的技术问题。本发明采用高温固相法制备金属离子掺杂氧化锌粉体，高速搅拌掺杂金属离子的氧化锌粉体与银粉得到混合粉体；初压混合粉体得到坯料；热挤压坯料，得到板材；轧制退火；冲压落料得到触点。本发明中金属离子掺杂能够降低氧化锌粉体的电阻率，结合高速搅拌混合粉体保证材料高效致密化，提高氧化锌粉体在银基体中的分散性，降低氧化锌电接触材料的电阻率，进而降低服役过程中的温升与接触电阻。本发明适用于制备银氧化锌电接触材料。
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公开(公告)号：CN114368778B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210079503.7
申请日：2022-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于第一性原理计算设计通过低价金属离子掺杂限制金属氧化物团聚的方法，涉及一种通过金属离子掺杂限制金属氧化物团聚的方法。本发明是要解决现有的氧化物团聚的技术问题。本发明提出采用的第一性原理计算，可从原子尺度，基于元素特性和晶体结构，计算氧化物表面对羟基的吸附能力。并对元素间的电子轨道杂化，电荷转移等进行定量分析，从而揭示金属离子掺杂改性氧化物吸附羟基的机理，设计可调控氧化物团聚特性的金属离子掺杂成分。
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公开(公告)号：CN113957282A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111242289.4
申请日：2021-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金属离子掺杂改性银氧化锌电接触材料的制备方法，涉及一种电接触材料的制备方法。为了解决现有的银氧化锌电接触材料的制备时存在氧化锌与银基体之间的润湿性差、以及氧化锌易团聚造成的电接触寿命短的问题。方法：自蔓延燃烧法制备锂金属掺杂氧化锌粉体，混合金属离子掺杂氧化锌粉体与银粉得到混合粉体；初压混合粉体得到坯料；初烧坯料得到烧结坯；复压烧结坯；复烧。本发明中金属离子的掺杂可改善氧化锌与银基体之间的润湿性以及解决氧化锌本身易团聚的问题；结合高能球磨混合粉体保证材料高效致密化，提高第二相分散效果，提高电接触性能。本发明适用于制备银氧化锌电接触材料。
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公开(公告)号：CN115565631B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211326088.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于第一性原理设计合金化改善铜抗氧化性的方法，涉及一种改善铜抗氧化性的方法。本发明是要解决目前铜电接触材料中铜抗氧化性较差的技术问题。本发明提出采用第一性原理计算，可从原子尺度、基于元素特性和晶体结构，计算铜氧化的基本过程，界面的结合强度，并对元素间的布居，电荷转移等进行定量分析，从而获得合金元素掺杂改善铜氧化的机理。金属铜易与氧结合形成氧化物，而当合金元素掺杂时会优先与氧成键，从而形成更强的氧化物，阻碍了铜与氧的结合，最终提高铜的抗氧化性。铜合金抗氧化性的关键是表明添加合金元素优先形成氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115028194B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210687734.6
申请日：2022-06-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于第一性原理设计金属离子掺杂改善银与氧化锡润湿性的方法，涉及一种改善银与氧化锡润湿性的方法。本发明是要解决目前电接触材料Ag/SnO2中Ag与SnO2之间的润湿性较差的技术问题。本发明提出采用第一性原理计算，可从原子尺度、基于元素特性和晶体结构，计算氧化锡与银界面的结合强度，并对元素间的电子轨道杂化，电荷转移等进行定量分析，从而获得金属离子掺杂改善氧化锡与银界面结合的机理。金属银易失电子，而当低价金属离子掺杂时会将氧化锡转变为P型半导体，以空穴作为载流子，而空穴载流子将与来自Ag的电子配对，在表层产生更大的电荷转移，从而形成更强的Ag‑O键，最终提高Ag与SnO2的界面润湿性。
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公开(公告)号：CN113957282B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111242289.4
申请日：2021-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金属离子掺杂改性银氧化锌电接触材料的制备方法，涉及一种电接触材料的制备方法。为了解决现有的银氧化锌电接触材料的制备时存在氧化锌与银基体之间的润湿性差、以及氧化锌易团聚造成的电接触寿命短的问题。方法：自蔓延燃烧法制备锂金属掺杂氧化锌粉体，混合金属离子掺杂氧化锌粉体与银粉得到混合粉体；初压混合粉体得到坯料；初烧坯料得到烧结坯；复压烧结坯；复烧。本发明中金属离子的掺杂可改善氧化锌与银基体之间的润湿性以及解决氧化锌本身易团聚的问题；结合高能球磨混合粉体保证材料高效致密化，提高第二相分散效果，提高电接触性能。本发明适用于制备银氧化锌电接触材料。
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公开(公告)号：CN114368778A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210079503.7
申请日：2022-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于第一性原理计算设计通过低价金属离子掺杂限制金属氧化物团聚的方法，涉及一种通过金属离子掺杂限制金属氧化物团聚的方法。本发明是要解决现有的氧化物团聚的技术问题。本发明提出采用的第一性原理计算，可从原子尺度，基于元素特性和晶体结构，计算氧化物表面对羟基的吸附能力。并对元素间的电子轨道杂化，电荷转移等进行定量分析，从而揭示金属离子掺杂改性氧化物吸附羟基的机理，设计可调控氧化物团聚特性的金属离子掺杂成分。
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公开(公告)号：CN115028194A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210687734.6
申请日：2022-06-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于第一性原理设计金属离子掺杂改善银与氧化锡润湿性的方法，涉及一种改善银与氧化锡润湿性的方法。本发明是要解决目前电接触材料Ag/SnO2中Ag与SnO2之间的润湿性较差的技术问题。本发明提出采用第一性原理计算，可从原子尺度、基于元素特性和晶体结构，计算氧化锡与银界面的结合强度，并对元素间的电子轨道杂化，电荷转移等进行定量分析，从而获得金属离子掺杂改善氧化锡与银界面结合的机理。金属银易失电子，而当低价金属离子掺杂时会将氧化锡转变为P型半导体，以空穴作为载流子，而空穴载流子将与来自Ag的电子配对，在表层产生更大的电荷转移，从而形成更强的Ag‑O键，最终提高Ag与SnO2的界面润湿性。
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公开(公告)号：CN115565631A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211326088.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于第一性原理设计合金化改善铜抗氧化性的方法，涉及一种改善铜抗氧化性的方法。本发明是要解决目前铜电接触材料中铜抗氧化性较差的技术问题。本发明提出采用第一性原理计算，可从原子尺度、基于元素特性和晶体结构，计算铜氧化的基本过程，界面的结合强度，并对元素间的布居，电荷转移等进行定量分析，从而获得合金元素掺杂改善铜氧化的机理。金属铜易与氧结合形成氧化物，而当合金元素掺杂时会优先与氧成键，从而形成更强的氧化物，阻碍了铜与氧的结合，最终提高铜的抗氧化性。铜合金抗氧化性的关键是表明添加合金元素优先形成氧化物。
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