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公开(公告)号：CN117038354A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311103180.1
申请日：2023-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86 , H01G11/30 , C01B32/921 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及电极材料技术领域，特别是涉及一种MXene薄膜的制备方法、产品及应用。本发明方法包括以下步骤：将Ti3C2Tx的前驱体加入到刻蚀剂中进行刻蚀，之后离心，清洗所得固体得到Ti3C2Tx沉淀；将所述Ti3C2Tx沉淀加入到去离子水中超声处理，得到含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液；将所述含有Ti3C2Tx纳米片的悬浊液进行一次氧化，之后加入氢氟酸进行刻蚀，得到一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液；将所述一次氧化刻蚀后的Ti3C2Tx纳米片悬浊液进行二次氧化，之后加入氢氟酸进行刻蚀，抽滤，得到所述MXene薄膜。本发明方法简单，所制备的MXene薄膜具有高的比电容。
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公开(公告)号：CN115188438A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210762547.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供了一种基于原子氧与紫外协同作用下材料剥蚀效应的模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述模拟方法包括：获取原子氧环境影响参数，所述原子氧环境影响参数包括：航天器速率、来流方向以及原子氧密度；建立航天器的三维模型，将所述原子氧环境影响参数输入到所述三维模型，得到航天器表面原子氧通量；根据航天器表面受到原子氧与紫外辐照的协同情况，确定航天器表面材料剥蚀反应系数；通过所述航天器表面原子氧通量和所述航天器表面材料剥蚀反应系数，得到航天器表面材料的剥蚀厚度。本发明的模拟方法步骤简单，易于操作，且模拟准确。
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公开(公告)号：CN115168993A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210762569.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/15 , G06F30/25 , G06F17/10 , G06F111/10 , G06F113/28 , G06F113/26
Abstract: 本发明提供了一种基于射线追踪的原子氧或紫外通量的计算方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述计算方法包括：根据航天器的轨道参数计算航天器在轨道各点的原子氧通量影响参数或紫外通量影响参数；将航天器表面剖分为多个多边形网格单元,并设定各个所述多边形网格单元的原子氧通量初始值或紫外通量初始值；计算所述航天器运动轨道每个点上的每个所述多边形网格单元的原子氧通量增加值或紫外通量增加值，最后得到原子氧通量累计值或紫外通量累计值。与现有技术比较，本发明能够大幅度提高计算时间效率，降低成本，为蒙特卡罗模拟方法的计算结果提供校验数据，为航天器表面涂层材料快速筛选提供高效技术手段，有着明显的优势和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111043900A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN202010001052.6
申请日：2020-01-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F41A31/00
Abstract: 本发明提供一种中低温高速撞击试验装置及其试验方法，防护罐体作为弹丸撞击试验的安全防护装置；防护罐体开设有穿线和管道的通孔，防护罐体的一端设有罐门；所述防护罐体内部设有一个试验台面、照明灯具；火药炮、环境箱安装在试验台面上内；环境箱内设置有靶架、液氮蒸发板；温控装置的测控线缆与环境箱连接，温控装置的制冷管路连接自增压液氮罐；自增压液氮罐与液氮蒸发板连接；电磁测速器与火药炮的可拆卸炮管连接，并通过线缆与示波器相连。本发明装置具有制造费用低，体积小，结构较简单，操作方便，发射安全可靠性高，降低了操作的专业性要求。
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公开(公告)号：CN108459338A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810136600.9
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/02
CPC classification number: G01T1/02
Abstract: 本发明提供基于吸收剂量深度分布计算辐射敏感部位位移吸收剂量的方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明首先选取一种已知一维位移吸收剂量深度分布的材料，并将其移吸收剂量深度分布转化为吸收剂量随等效厚度的分布；对辐射敏感部位所处的结构进行区域划分，确定各个区域中的材料种类和每种材料的厚度；然后将各个区域的材料的厚度转化为等效厚度，确定各个等效厚度的吸收剂量和单向吸收剂量，最终计算得到结构中敏感部位的位移吸收剂量。本发明解决了现有技术辐射敏感部位位移吸收剂量计算复杂、耗时长的问题。本发明可用于快速评估航天器等复杂结构的位移吸收剂量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108363864A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810134768.6
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种研究电离缺陷和位移缺陷直接交互作用的试验方法，它涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的目的是为了制备一种结构，基于该结构利用不同类型的辐射粒子，从而实现电离和位移缺陷直接交互作用的研究。方法：制备MIM结构或者MSM结构，绝缘体或半导体的厚度为a1，导体的厚度为a2，其中，a2≥10a1；计算入射粒子的入射深度、电离吸收剂量(Id)和位移吸收剂量(Dd)，3 5，产生稳定的电离缺陷；本发明的试验方法，步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低试验的费用，对材料和器件空间环境效应地面模拟试验和研究具有重大的意义。
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公开(公告)号：CN108304666A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810136598.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 基于杂化泛函计算β-三氧化二镓电荷转移的方法，本发明涉及计算β-三氧化二镓电荷转移的方法。本发明目的是为了解决现有基于杂化泛函的方法计算含有缺陷的超胞电荷转移的准确率低的问题。过程为：得到β-Ga2O3的晶格参数和禁带宽度；得到β-Ga2O3能量最低点的晶格参数和禁带宽度；根据晶格参数和禁带宽度得到模拟结果和实验结果一致；计算含有缺陷的β-Ga2O3的电子在空间中的分布；通过VESTA软件读取A和B，并对二者在电子在空间中的分布做差，得到差分电荷。本发明用于计算β-Ga2O3电荷转移的领域。
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公开(公告)号：CN117371368A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311393066.7
申请日：2023-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/33 , G06F30/337
Abstract: 本发明的一种面向FLASH阵列的器件仿真方法，涉及一种半导体器件仿真方法。目的是为了克服FLASH存储器阵列中FLASH存储单元仿真难以准确评估不同位置FLASH存储单元的电性能的问题，具体步骤如下：一、在FLASH阵列的漏端和源端分别施加电压Vd施加电压Vs，计算得到该FLASH阵列中待仿真的FLASH存储单元的漏端电压和源端电压；二、向待仿真的FLASH存储单元的漏端和源端分别施加漏端电压和源端电压，计算待仿真的FLASH存储单元的电性能。
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公开(公告)号：CN115650233B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202211350266.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/921
Abstract: 一种基于气液界面作用的超薄MXenes膜的制备方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes薄膜的制备方法，或存在无法制备纳米级别薄膜，或存在无法获得纯净的纳米级别薄膜的问题。方法：一、MXenes湿膜的制备；二、超薄MXenes膜的制备。本发明用于基于气液界面的超薄MXenes膜的制备。
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公开(公告)号：CN117116671A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311103130.3
申请日：2023-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/86 , H01G11/30 , C01B32/921
Abstract: 本发明涉及储能技术领域，特别是涉及一种基于聚沉自组装的MXene薄膜的制备方法、产品及应用。本发明基于聚沉自组装的MXene薄膜的制备方法，包括以下步骤：将MXene的前驱体加入到刻蚀剂中进行刻蚀，之后离心、清洗，得到Ti3C2TX沉淀；用去离子水稀释所述Ti3C2TX沉淀后超声得到少层Ti3C2TX纳米片悬浊液；向所述少层Ti3C2TX纳米片悬浊液中加入一价阳离子溶液，搅拌，得到絮状沉淀；将所述絮状沉淀进行抽滤、冻干得到所述基于聚沉自组装的MXene薄膜。本发明方法通过聚沉自组装的方式在MXene中引入孔洞，并使之形成三维大孔的结构，这种方法不仅可以阻碍纳米片的重堆积，还可以极大地提高活性表面积。
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