公开(公告)号：CN119121130A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411209224.3

申请日：2024-08-30

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈工大郑州研究院

Inventor： 李坤 ,  高岗 ,  朱嘉琦 ,  吴彬 ,  段超 ,  黄易 ,  秦宇婕

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 用于同步调控氧化钒薄膜光频介电特性和相变温度的方法，本发明要解决利用磁控溅射技制备VO2薄膜工艺中VOx混杂相的成分对氧气流量十分敏感，VO2薄膜制备工艺的稳定性不佳的技术问题。调控方法：一、超声清洗基底；二、清洗金属靶材；三、V金属靶材与直流电源相连，W金属靶材与射频电源相连；四、抽真空；五、加热基底；六、起辉；七、对靶材进行预溅射处理；八、控制氧气流量使镀膜状态处于中毒模式下进行薄膜沉积；九、降温；十、置于退火炉内抽真空；十一、退火处理。本发明通过引入W原子在调控VO2的晶体结构和能带结构的同时，充分利用W和V元素电负性以及原子半径的差异，实现了微观电子极化响应和光频介电特性的同步调控。

公开(公告)号：CN115747739A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211438098.X

申请日：2022-11-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高岗 ,  朱嘉琦 ,  李坤 ,  夏菲 ,  徐梁格 ,  杨磊 ,  段超 ,  秦宇婕 ,  韩杰才

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 一种可见光‑中红外宽波段透明导电薄膜的制备方法，涉及一种红外透明导电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的红外光学材料无法兼容高红外透射率和高电导率的技术问题。本发明利用磁控溅射共溅射技术结合硫化处理的方式制备了可见光至中红外宽波段P型透明导电LaCuOS薄膜，制备工艺简单。本发明的LaCuOS薄膜的载流子浓度均在1019cm‑3以上，电导率均在30S/cm以上；镀有LaCuOS薄膜的蓝宝石可见光透过率高于60％，中红外透过率也可达约为50％，实现了P型透明半导体材料可见光‑中红外宽波段透过与电学性能的兼容。

公开(公告)号：CN119471902A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411209226.2

申请日：2024-08-30

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈工大郑州研究院

Inventor： 李坤 ,  高岗 ,  朱嘉琦 ,  吴彬 ,  段超 ,  黄易 ,  秦宇婕

IPC: G02B6/122

Abstract: 一种基于相变材料的相位梯度超表面型片上集成光开关，本发明是要解决现有片上集成光调制器存在尺寸偏大、集成度较低、功能单一、无记忆特性等不足的问题。本发明基于相变材料的相位梯度超表面型片上集成光开关中的Si单模光波导设置在SiO2衬底上，在Si单模光波导的上表面沉积图案化的GST材料的微纳结构单元，形成GST结构阵列，GST结构阵列由多个等间距设置的微纳结构单元组成，多个微纳结构单元呈一维阵列结构。本发明所述的光开关是将相变材料与现有光子芯片平台进行异质集成，通过控制GST结构阵列的相变，基于波导边界微扰来实现对光学信号的高效调制，同时兼容高性能和高集成度的显著优势。

公开(公告)号：CN115747739B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202211438098.X

申请日：2022-11-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高岗 ,  朱嘉琦 ,  李坤 ,  夏菲 ,  徐梁格 ,  杨磊 ,  段超 ,  秦宇婕 ,  韩杰才

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 一种可见光‑中红外宽波段透明导电薄膜的制备方法，涉及一种红外透明导电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的红外光学材料无法兼容高红外透射率和高电导率的技术问题。本发明利用磁控溅射共溅射技术结合硫化处理的方式制备了可见光至中红外宽波段P型透明导电LaCuOS薄膜，制备工艺简单。本发明的LaCuOS薄膜的载流子浓度均在1019cm‑3以上，电导率均在30S/cm以上；镀有LaCuOS薄膜的蓝宝石可见光透过率高于60％，中红外透过率也可达约为50％，实现了P型透明半导体材料可见光‑中红外宽波段透过与电学性能的兼容。

公开(公告)号：CN116815131A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310866871.0

申请日：2023-07-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 高岗 ,  秦宇婕 ,  朱嘉琦 ,  李坤 ,  段超

IPC: C23C14/30 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54

Abstract: 适用于双曲面光学窗口表面镀膜的电子束蒸发镀膜的装置，本发明为了解决传统电子束蒸发在双曲面样件表面沉积均匀性差的问题。本发明电子束蒸发镀膜的装置包括真空腔、台架和多自由度样品台，所述的多自由度样品台包括升降装置、旋转装置、主轴、升降波纹管和旋转轴，旋转装置中的传动轮与自转磁力耦合器的外壳通过皮带传动，第一连杆上的自转主齿轮与旋转轴上的自转从动齿轮相啮合，主轴的底部设置有旋转架，旋转架上设置有电机盒和第二轴承座。在电子束沉积镀膜时，升降丝杆上的螺纹带动样品升降滑块上下运动，磁力耦合自转主齿轮带动从动齿轮实现样品自转。驱动齿轮咬合球面齿轮实现球形齿轮沿着球面运动，从而使双曲面样件表面实现均匀沉积。

公开(公告)号：CN116288277A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310290741.7

申请日：2023-03-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  秦宇婕 ,  高岗 ,  李坤 ,  段超

IPC: C23C16/455 ,  G02B27/00 ,  G02B1/115 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40

Abstract: 一种高透过光学镜头的制备方法，涉及一种光学镜头的制备方法。本发明是要解决现有的薄膜制备技术难以精确控制纳米级薄膜厚度的技术问题。本发明利用高、低折射率搭配的原则，选用高折射率TiO2和低折射率SiO2为基础的膜系材料，以达到高透过的效果。此光学镜头兼实现了高透过，在400nm～800nm范围内的理论平均反射率约为10％，实际反射率也低于16％，具有良好的可见光光学性能。该光学镜头的实现，可为抬头显示可见光波段工作提供技术保障，极大程度地提升抬头显示使用性能。